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路红喜

作品数:18 被引量:4H指数:1
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信理学文化科学金属学及工艺更多>>

领域

  • 29个电子电信
  • 23个理学
  • 21个金属学及工艺
  • 16个自动化与计算...
  • 15个文化科学
  • 13个电气工程
  • 13个一般工业技术
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  • 10个机械工程
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  • 6个医药卫生
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  • 2个生物学
  • 2个动力工程及工...
  • 1个冶金工程
  • 1个建筑科学
  • 1个水利工程

主题

  • 30个多量子阱
  • 29个发光
  • 28个化物
  • 28个二极管
  • 27个氮化
  • 27个氮化物
  • 27个发光二极管
  • 26个氮化镓
  • 26个外延片
  • 26个金属
  • 23个电子阻挡层
  • 23个阻挡层
  • 23个光效
  • 22个激光
  • 22个光效率
  • 21个有源
  • 20个电极
  • 20个欧姆接触
  • 18个氮化铝
  • 18个导体

机构

  • 31个中国科学院
  • 5个中国科学院大...
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  • 1个西北大学
  • 1个国家工程研究...
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  • 1个中国科学院西...
  • 1个中煤科工集团...

资助

  • 24个国家自然科学...
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  • 7个北京市自然科...
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传媒

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  • 18个半导体技术
  • 15个第十四届全国...
  • 13个发光学报
  • 11个光子学报
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  • 8个固体电子学研...
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  • 5个光学学报
  • 5个红外与毫米波...
  • 5个液晶与显示

地区

  • 30个北京市
  • 1个四川省
31 条 记 录,以下是 1-10
王军喜
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:氮化镓 发光二极管 衬底 氮化物 多量子阱
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李晋闽
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:氮化镓 发光二极管 衬底 多量子阱 GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曾一平
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:分子束外延 衬底 碳化硅 氮化镓 缓冲层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王国宏
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:氮化镓 发光二极管 多量子阱 衬底 外延片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
魏同波
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:发光二极管 衬底 氮化镓 多量子阱 氮化物
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张连
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:衬底 氮化镓 单晶 势垒层 氮化物
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
段瑞飞
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:氢化物气相外延 衬底 厚膜 GAN 氮化物
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郭金霞
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:氮化镓 发光二极管 发光器件 欧姆接触电极 电极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘乃鑫
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:氮化镓 氮化物 金属有机物化学气相淀积 发光二极管 MOCVD
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵丽霞
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:衬底 可见光通信 调制带宽 表面等离激元 GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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