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王桂磊

作品数：241 被引量：6H指数：2
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
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李俊峰
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 刻蚀 衬底 沟道 栅极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵超
供职机构：清华大学
研究主题：半导体器件 衬底 栅极 沟道 金属硅化物
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
殷华湘
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 沟道 栅极 衬底 鳍片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨涛
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：刻蚀 衬底 半导体器件 化学机械平坦化 晶圆
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李俊杰
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：刻蚀 半导体器件 沟道 纳米线 电子设备
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱慧珑
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 沟道 堆叠 衬底 电子设备
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王文武
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 沟道 刻蚀 纳米线 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘金彪
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 沟道 掺杂 衬底 刻蚀
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
秦长亮
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 栅极 沟道 鳍片 侧墙
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
罗军
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 沟道 金属硅化物 衬底 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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