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朱红清

作品数:4 被引量:1H指数:1
供职机构:北京师范大学核科学与技术学院低能核物理研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金北京市自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

领域

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主题

  • 10个离子注入
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  • 9个GAAS
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机构

  • 10个北京师范大学
  • 5个中国科学院
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  • 1个北京科技大学
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  • 1个郑州大学

资助

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  • 8个北京市自然科...
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传媒

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地区

  • 9个北京市
  • 1个江苏省
11 条 记 录,以下是 1-10
李国辉
供职机构:北京师范大学
研究主题:离子注入 砷化镓 GAAS SI MEV
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈如意
供职机构:北京师范大学核科学与技术学院北京市辐射中心
研究主题:微弧氧化 陶瓷膜 铝合金 微弧氧化膜 微弧氧化陶瓷膜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨茹
供职机构:北京师范大学
研究主题:硅 光电倍增器 SIPM 雪崩光电二极管 化学成分研究
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
姬成周
供职机构:北京师范大学
研究主题:离子注入 砷化镓 GAAS MEV SI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
阎凤章
供职机构:北京师范大学核科学与技术学院低能核物理研究所
研究主题:FE 多层膜 穿通型 光电晶体管 离子注入
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
韩德俊
供职机构:北京师范大学
研究主题:硅 光电倍增器 离子注入 探测器 淬灭
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
夏德谦
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:砷化镓 单晶 GAAS单晶 半绝缘 SI-GAAS单晶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘伊犁
供职机构:北京师范大学核科学与技术学院
研究主题:离子注入 GAA SI GAAS N
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
任永玲
供职机构:北京师范大学
研究主题:系统级芯片 全离子注入 场效应晶体管 高斯模型 性能研究
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
仁永玲
供职机构:北京师范大学
研究主题:APD 雪崩光电二极管 性能研究 光纤通信 砷化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
共2页<12>
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