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杨士超
供职机构:中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题:线切割 晶片 翘曲度 SIC 钢线
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵文华
供职机构:中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题:硅 钢线 断线 晶片 翘曲度
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
栾国旗
供职机构:中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题:多晶硅 提纯 真空 SIC 硅片表面
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吕菲
供职机构:中国电子科技集团公司
研究主题:单晶片 锗 晶片 清洗工艺 抛光液
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李保军
供职机构:中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题:翘曲度 砂浆 锗单晶 VB 控制技术
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨洪星
供职机构:中国电子科技集团公司
研究主题:锗 单晶片 抛光片 晶片 表面粗糙度
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李强
供职机构:中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题:硫化镉 CDS 单晶 CMP AFM
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
苏鹏飞
供职机构:中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题:硅 厚度变化 翘曲度 损伤层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
闫萍
供职机构:中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题:区熔 硅单晶 区熔硅单晶 高阻 少子寿命
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
靳彩明
供职机构:中国电子科技集团公司
研究主题:半导体材料 控制研究 晶体 晶片 缺陷密度
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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