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顾祥

作品数：36 被引量：7H指数：1
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
相关领域：电子电信文化科学更多>>

合作作者

领域

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主题

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  • 12个单粒子
  • 12个总剂量辐射
  • 12个集成电路
  • 12个半导体
  • 12个SOI
  • 10个电荷
  • 10个氧化层
  • 10个漏电
  • 10个SOI器件
  • 9个电路技术
  • 9个淀积
  • 9个总剂量效应
  • 9个硅膜
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机构

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  • 1个西安科技大学
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资助

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传媒

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地区

  • 17个江苏省
  • 1个北京市
  • 1个陕西省
共 19 条 记 录，以下是 1-10
洪根深
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：抗辐射 反熔丝 总剂量 单粒子 SOI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
谢儒彬
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：抗辐射 单粒子 总剂量 总剂量辐射 场区
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
贺琪
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：单粒子 抗辐射 NPN 高抗 发射结
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱少立
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：抗辐射 单粒子 介质隔离 SOI器件 NPN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李燕妃
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：单粒子 抗辐射 发射结 抗辐射加固 NPN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈海波
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：绝缘体上硅 抗辐射 接触孔 NMOS器件 低频噪声
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王蕾
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：单粒子 抗辐射加固 单粒子翻转 FET器件 ESD
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郑若成
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：反熔丝 淀积 编程 总剂量 抗辐射
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李艳艳
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：NMOS器件 总剂量效应 SOI 场区 STI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐大为
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：SOI 抗辐射 H型 KINK效应 总剂量
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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