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苗振华

作品数：10 被引量：7H指数：2
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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牛智川
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 量子点 GAAS 超晶格 分子束外延生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
封松林
供职机构：中国科学院上海高等研究院
研究主题：相变存储器 相变材料 相变 电阻 存储器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周大勇
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 量子点 表面形貌 INAS/GAAS量子点 INAS/GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
方志丹
供职机构：北京工业大学
研究主题：INAS 量子点 INAS/GAAS量子点 分子束外延 自组织
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
澜清
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 INAS/GAAS 量子点 INAS/GAAS量子点 发光二极管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王晓东
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：淀积 相变存储器 纳米尺寸 相变材料 微装配
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
龚政
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：INAS 分子束外延生长 GAAS 砷化镓 砷化铟
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孔云川
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 量子点 INAS/GAAS量子点 INAS/GAAS 发光二极管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨富华
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：淀积 相变存储器 电极 纳米尺寸 谐振器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李树深
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：半导体 量子信息 量子点 掺杂 类氢杂质
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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