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肖志强

作品数:40 被引量:58H指数:5
供职机构:中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家科技重大专项更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术文化科学更多>>

领域

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主题

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  • 24个导通
  • 24个导通电阻
  • 24个电压
  • 24个击穿电压
  • 23个仿真
  • 21个多晶
  • 19个低功耗
  • 18个单粒子效应

机构

  • 30个中国电子科技...
  • 28个电子科技大学
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  • 1个兰州理工大学
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资助

  • 31个国家自然科学...
  • 13个国家科技重大...
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  • 10个中央高校基本...
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传媒

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地区

  • 29个江苏省
  • 24个四川省
  • 6个北京市
  • 1个湖南省
  • 1个广东省
63 条 记 录,以下是 1-10
洪根深
供职机构:中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题:抗辐射 反熔丝 总剂量 单粒子 SOI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
魏敬和
供职机构:中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题:电路 互连 互联 系统芯片 流水线模数转换器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张波
供职机构:电子科技大学
研究主题:功率半导体器件 半导体功率器件 电能传输系统 导电类型 无线
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高向东
供职机构:中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题:SOI 总剂量辐射 抗辐射 总剂量 反熔丝
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
乔明
供职机构:电子科技大学
研究主题:导电类型 半导体功率器件 功率半导体器件 比导通电阻 击穿电压
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李肇基
供职机构:电子科技大学
研究主题:击穿电压 功率器件 导电类型 SOI 功率半导体器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈正才
供职机构:中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题:SOI 总剂量辐射 材料制备技术 PD_SOI 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
方健
供职机构:电子科技大学
研究主题:集成电路技术 电平位移 功率集成电路 SOI LDMOS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐静
供职机构:中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题:SOI 反熔丝 抗辐射 CMOS工艺 总剂量辐射
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周淼
供职机构:中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题:SOI 总剂量辐射 击穿电压 SOI_LDMOS 比导通电阻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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