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王绍青

作品数：53 被引量：181H指数：9
供职机构：中国科学院金属研究所更多>>
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叶恒强
供职机构：中国科学院金属研究所
研究主题：金属间化合物 电子显微学 NIAL 显微结构 AL
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张彩碚
供职机构：东北大学材料与治金学院材料各向异性与织构工程教育部重点实验室
研究主题：分子动力学 分子动力学研究 分子动力学模拟 团簇 元胞自动机
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
马尚义
供职机构：中国科学院金属研究所
研究主题：MG-ZN-Y合金 LPS 镁合金 微观结构 硼
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵星
供职机构：辽宁工业大学理学院
研究主题：分子动力学模拟 分子动力学研究 CU 位错 分子动力学
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
万亮
供职机构：中国科学院金属研究所
研究主题：晶界 原子尺度 分子动力学 晶界滑移 形变行为
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘全朴
供职机构：剑桥大学
研究主题：GAN薄膜 晶体缺陷 氮化镓 分子束外延生长 位错结构
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李虹
供职机构：中国科学院金属研究所
研究主题：Γ-TIAL 第一性原理研究 高温氧化 形成能 抗氧化能力
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张林
供职机构：东北大学材料与治金学院材料电磁过程研究教育部重点实验室
研究主题：分子动力学 偏晶合金 团簇 强磁场 计算机模拟
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张林
供职机构：中国科学院金属研究所
研究主题：硅薄膜 硅靶 纳米硅薄膜 离子辅助沉积 中频磁控溅射
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
兰建章
供职机构：中国科学院金属研究所
研究主题：电子显微镜 INSB INGAAS/GAAS 半导体界面 半导体材料
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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