您的位置: 专家智库 > >

江滢

作品数:2 被引量:1H指数:1
供职机构:大连理工大学更多>>
发文基金:中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

领域

  • 3个电子电信
  • 1个自动化与计算...
  • 1个交通运输工程
  • 1个航空宇航科学...
  • 1个核科学技术
  • 1个一般工业技术
  • 1个理学

主题

  • 3个氮化镓
  • 3个晶体管
  • 3个半导体
  • 3个半导体场效应...
  • 3个GAN
  • 3个MOSFET
  • 3个场效应
  • 3个场效应晶体管
  • 2个电学
  • 1个带隙
  • 1个氮化
  • 1个氮化铝
  • 1个氮化物
  • 1个氮化铟
  • 1个氮化铟镓
  • 1个氮元素
  • 1个道路拥堵
  • 1个等离子体
  • 1个等离子体辅助
  • 1个等离子体增强

机构

  • 2个大连理工大学
  • 2个德岛大学

资助

  • 3个中央高校基本...
  • 2个国家重点基础...
  • 2个国家自然科学...
  • 1个国家高技术研...
  • 1个教育部留学回...
  • 1个国家科技重大...
  • 1个浙江省科技计...
  • 1个国际科技合作...
  • 1个国家教育部博...
  • 1个国家重大基础...
  • 1个教育部“新世...
  • 1个科技部基础研...
  • 1个辽宁省自然科...

传媒

  • 3个电力电子技术
  • 2个半导体技术
  • 1个北京科技大学...
  • 1个Journa...
  • 1个仪器仪表学报
  • 1个核技术
  • 1个电子工业专用...
  • 1个固体电子学研...
  • 1个微电子学
  • 1个现代电子技术
  • 1个计算机测量与...
  • 1个中国科技论文
  • 1个第十七届全国...

地区

  • 2个辽宁省
3 条 记 录,以下是 1-3
王青鹏
供职机构:大连理工大学
研究主题:MOSFET GAN 干法刻蚀 氮化镓 半导体场效应晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
敖金平
供职机构:德岛大学
研究主题:GAN MOSFET 氮化镓 截止频率 肖特基二极管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王德君
供职机构:大连理工大学
研究主题:SIC MOSFET器件 碳化硅 4H-SIC 电子回旋共振
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
共1页<1>
聚类工具0