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毛昆纯

作品数：6 被引量：7H指数：2
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

领域

  • 9个电子电信
  • 6个电气工程
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主题

  • 8个单片
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机构

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资助

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传媒

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地区

  • 7个江苏省
  • 1个北京市
  • 1个陕西省
共 9 条 记 录，以下是 1-9
林金庭
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：GAAS 砷化镓 MMIC 单片 微波单片集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
余志平
供职机构：清华大学
研究主题：石墨烯 集成电路设计 螺旋电感 射频 场效应管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李拂晓
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：砷化镓 GAAS 单片 开关 MESFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨乃彬
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：砷化镓 GAAS 射频开关 HFET GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈效建
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：MMIC 砷化镓 PHEMT 功率放大器 GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐世晖
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：GAAS微波单片集成电路 单片集成电路 砷化镓 场效应晶体管 移动通信用
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
盛文伟
供职机构：信息产业部
研究主题：砷化镓 离子注入 非晶硅 发射极 异质结
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈克金
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：GAAS 砷化镓 C波段 MESFET 单片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
顾炯
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：GAAS 砷化镓 功率放大器 单片功率放大器 单片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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