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何宏家

作品数：27 被引量：41H指数：4
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
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合作作者

领域

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主题

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  • 8个亚表面损伤层
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  • 8个损伤层
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机构

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资助

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地区

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  • 1个重庆市
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陈诺夫
供职机构：华北电力大学
研究主题：太阳电池 砷化镓 衬底 磁性半导体 多晶硅薄膜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
林兰英
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：半导体材料 氮化镓 分子束外延 砷化镓 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王玉田
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 X射线双晶衍射 GAN MOCVD 超晶格
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
卜俊鹏
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 GAAS 抛光晶片 抛光 亚表面损伤层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴让元
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 SI-GAAS GAAS 化学机械抛光 抛光
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
惠峰
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 抛光晶片 GAAS SI-GAAS 晶片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曹福年
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：SI-GAAS 砷化镓 亚表面损伤层 GAAS SI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
钟兴儒
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 单晶 半导体 砷化镓单晶 单晶炉
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨君玲
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：磁性半导体 半导体材料 半导体 磁性材料 磁体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李成基
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：半导体材料 砷化镓 电阻率 光子扫描隧道显微镜 GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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