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付军

作品数：92 被引量：11H指数：2
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共 35 条 记 录，以下是 1-10
王玉东
供职机构：清华大学
研究主题：双极晶体管 发射区 锗硅异质结双极晶体管 发射极 基极电阻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
崔杰
供职机构：清华大学
研究主题：双极晶体管 发射区 锗硅异质结双极晶体管 发射极 基极电阻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘志弘
供职机构：清华大学
研究主题：双极晶体管 发射区 锗硅异质结双极晶体管 发射极 锗硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张伟
供职机构：清华大学
研究主题：双极晶体管 发射区 锗硅异质结双极晶体管 发射极 基极电阻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵悦
供职机构：清华大学
研究主题：双极晶体管 发射区 发射极 锗硅异质结双极晶体管 基极电阻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李高庆
供职机构：清华大学
研究主题：双极晶体管 锗硅异质结双极晶体管 发射极 发射区 多晶硅发射区
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴正立
供职机构：清华大学
研究主题：双极晶体管 发射极 嵌入式 原位掺杂 锗硅异质结双极晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
许平
供职机构：清华大学
研究主题：双极晶体管 发射极 嵌入式 原位掺杂 发射区
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
严利人
供职机构：清华大学
研究主题：晶圆片 半导体制造设备 激光 激光退火 半导体制造技术
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
钱佩信
供职机构：清华大学
研究主题：SIGE SIGE_HBT HBT SOI 锗化硅
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