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杨立杰

作品数：36 被引量：55H指数：4
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
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陈堂胜
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：高电子迁移率晶体管 氮化镓 砷化镓 GAN ALGAN/GAN_HEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈效建
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：MMIC 砷化镓 PHEMT 功率放大器 GAAS
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戴永胜
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：MMIC 砷化镓 GAAS_MMIC 多倍频程 可变衰减器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈继义
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：砷化镓 GAAS MMIC 可变衰减器 相移
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
俞土法
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：MMIC 砷化镓 GAAS 多倍频程 可变衰减器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘琳
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：MMIC 可变衰减器 相移 多倍频程 超小型
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林金庭
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：GAAS 砷化镓 MMIC 单片 微波单片集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李拂晓
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：砷化镓 GAAS 单片 开关 MESFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
柏松
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：SIC 4H-SIC 碳化硅 SIC_MESFET MESFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
焦世龙
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：光接收机前端 单片集成 分布放大器 眼图 PHEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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