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徐静

作品数：15 被引量：14H指数：3
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
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洪根深
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：抗辐射 反熔丝 总剂量 单粒子 SOI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈正才
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：SOI 总剂量辐射 材料制备技术 PD_SOI 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘国柱
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：抗辐射 高可靠 浮栅 反熔丝 总剂量
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
肖志强
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：SOI 互联 抗辐射 总剂量 LDMOS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高向东
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：SOI 总剂量辐射 抗辐射 总剂量 反熔丝
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵文斌
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：抗辐射 总剂量 电荷共享 CMOS工艺 SWI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈玉蓉
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：SRAM 单粒子翻转 DICE SOI 单粒子效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王栋
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：反熔丝 背栅效应 背栅 负电压 寄生
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周淼
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：SOI 总剂量辐射 击穿电压 SOI_LDMOS 比导通电阻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
洪根生
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：反熔丝 微电子 熔丝 衬底 掩蔽层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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