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任永玲

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共 10 条 记 录，以下是 1-10
李国辉
供职机构：北京师范大学
研究主题：离子注入 砷化镓 GAAS SI MEV
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
于理科
供职机构：北京师范大学
研究主题：离子注入 全离子注入 场效应晶体管 锗 半导体材料
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
姬成周
供职机构：北京师范大学
研究主题：离子注入 砷化镓 GAAS MEV SI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨茹
供职机构：北京师范大学
研究主题：硅 光电倍增器 SIPM 雪崩光电二极管 化学成分研究
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郭慧民
供职机构：北京师范大学核科学与技术学院低能核物理研究所
研究主题：数值模拟 离子注入 本底 Β粒子 近代物理实验
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
阎凤章
供职机构：北京师范大学核科学与技术学院低能核物理研究所
研究主题：FE 多层膜 穿通型 光电晶体管 离子注入
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
韩德俊
供职机构：北京师范大学
研究主题：硅 光电倍增器 离子注入 探测器 淬灭
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
田晓娜
供职机构：北京师范大学
研究主题：硅晶体管 全离子注入 X光 保护环 漏电流
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
马本堃
供职机构：北京师范大学
研究主题：半导体 量子点 动态局域化 激子 动力学
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱红清
供职机构：北京师范大学核科学与技术学院低能核物理研究所
研究主题：GAA SI 离子注入 砷化镓 性能研究
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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