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董逊

作品数：92 被引量：56H指数：3
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
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地区

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  • 1个四川省
共 66 条 记 录，以下是 1-10
李忠辉
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：氮化镓 GAN MOCVD 二维电子气 高电子迁移率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李亮
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：MOCVD GAN薄膜 二维电子气 ALGAN ALGAN/GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周建军
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：氮化镓 ALGAN GAN ALGAN/GAN 分布布拉格反射镜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈辰
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：高电子迁移率晶体管 ALGAN/GAN ALGAN/GAN_HEMT 氮化镓 HEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张东国
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：MOCVD GAN薄膜 二维电子气 SIC衬底 GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
彭大青
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：MOCVD GAN薄膜 二维电子气 GAN SIC衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孔月婵
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：金刚石 衬底 二维电子气 氮化镓晶体管 键合
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李忠辉
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：氮化物 成核 氮化镓 单晶薄膜 氮化铝
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈堂胜
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：高电子迁移率晶体管 氮化镓 GAN 砷化镓 GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈辰
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：势垒 高电子迁移率晶体管 4H-SIC 碳 硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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