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羊建坤

作品数:9 被引量:3H指数:1
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
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15 条 记 录,以下是 1-10
王军喜
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:氮化镓 发光二极管 衬底 氮化物 多量子阱
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
段瑞飞
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:氢化物气相外延 衬底 厚膜 GAN 氮化物
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
魏同波
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:发光二极管 衬底 氮化镓 多量子阱 氮化物
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
霍自强
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:衬底 反应管 厚膜 蓝宝石 石英
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
胡强
供职机构:四川大学
研究主题:衬底 进气 中子嬗变掺杂 厚膜 离子注入
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曾一平
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:分子束外延 衬底 碳化硅 氮化镓 缓冲层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李晋闽
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:氮化镓 发光二极管 衬底 多量子阱 GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
梁勇
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:进气 半导体 水冷 机械臂 化学气相沉积
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
胡国新
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:氮化镓 金属有机物化学气相沉积 MOCVD GAN 迁移率
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张勇辉
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:纳米球 衬底 旋涂 干法刻蚀 光刻胶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
共2页<12>
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