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武爱民

作品数:101 被引量:8H指数:2
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家杰出青年科学基金国家科技重大专项更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术理学机械工程更多>>

领域

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主题

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机构

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资助

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传媒

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地区

  • 35个上海市
  • 1个北京市
36 条 记 录,以下是 1-10
王曦
供职机构:清华大学
研究主题:衬底 SOI 硅 离子注入 绝缘体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
甘甫烷
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:波导 光子晶体 硅波导 光栅 干涉仪
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈静
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:晶体管 浮体效应 SOI 阈值电压 存储器单元
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
仇超
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:波导 模式转换器 输出波导 干涉仪 激光照射
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
盛振
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:波导 硅基 干涉仪 模式转换器 激光照射
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李伟
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:芯片 折射率 弹性梁 电磁波 硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
魏星
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:衬底 弛豫 超晶格 光刻胶 绝缘体上硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨志峰
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:光子晶体 晶格 SOI 硅刻蚀 各向异性腐蚀
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙佳胤
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:氮化镓 SOI 衬底材料 衬底 绝缘体上硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张苗
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:石墨烯 绝缘体 衬底 离子注入 弛豫
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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