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梁勇

作品数：11 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域：文化科学金属学及工艺更多>>

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地区

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共 12 条 记 录，以下是 1-10
曾一平
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 衬底 碳化硅 氮化镓 缓冲层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王军喜
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 发光二极管 衬底 氮化物 多量子阱
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李晋闽
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 发光二极管 衬底 多量子阱 GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
胡国新
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 金属有机物化学气相沉积 MOCVD GAN 迁移率
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
冉军学
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：MOCVD 氮化镓 GAN 金属有机物 MOCVD生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
胡强
供职机构：四川大学
研究主题：衬底 进气 中子嬗变掺杂 厚膜 离子注入
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李明
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：光电振荡器 微波信号 光信号 微波光子滤波器 光载波
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
熊衍凯
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：进气 多样性 金属有机化学气相沉积 金属有机化学 灵活性
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
祝宁华
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：激光器 光电振荡器 微波信号 强度调制器 电极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
段瑞飞
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氢化物气相外延 衬底 厚膜 GAN 氮化物
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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