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林金庭

作品数：101 被引量：135H指数：7
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
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陈效建
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：MMIC 砷化镓 PHEMT 功率放大器 GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈堂胜
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：高电子迁移率晶体管 氮化镓 GAN 砷化镓 GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈克金
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：GAAS 砷化镓 C波段 MESFET 单片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
俞土法
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：MMIC 砷化镓 GAAS 多倍频程 可变衰减器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
戴永胜
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：MMIC 砷化镓 GAAS_MMIC 多倍频程 可变衰减器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈继义
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：砷化镓 GAAS MMIC 可变衰减器 相移
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李拂晓
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：砷化镓 GAAS 单片 开关 MESFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘琳
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：MMIC 可变衰减器 相移 多倍频程 超小型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
罗晋生
供职机构：西安交通大学电子与信息工程学院微电子技术研究所
研究主题：砷化镓 GAAS 双极晶体管 X HBT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
魏同立
供职机构：东南大学集成电路学院
研究主题：半导体器件 硅 双极晶体管 集成电路 CMOS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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