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彭里

作品数：2 被引量：1H指数：1
供职机构：西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室更多>>
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蔡惠民
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：SOI NMOS器件 总剂量辐照效应 碰撞电离 参考源
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
卓青青
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：SOI NMOS器件 总剂量效应 总剂量 MOS器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘红侠
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：单粒子 总剂量 抗辐照 电路 栅氧化层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨兆年
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：CMOS工艺 静电放电 箝位电路 碰撞电离 ESD
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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