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王超

作品数：8 被引量：4H指数：2
供职机构：吉林建筑工程学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金吉林省教育厅科研项目更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 4篇电子电信
  • 2篇理学

主题

  • 4篇电极
  • 4篇晶体管
  • 4篇薄膜晶体
  • 4篇薄膜晶体管
  • 3篇氧化锌
  • 3篇MOCVD
  • 2篇电极材料
  • 2篇微电子
  • 2篇镜检
  • 2篇工艺过程
  • 2篇沟道
  • 2篇沟道长度
  • 2篇光刻
  • 2篇光刻工艺
  • 2篇NI(OH)...
  • 1篇电化学
  • 1篇电容
  • 1篇电容器
  • 1篇性能研究
  • 1篇英文

机构

  • 8篇吉林建筑工程...
  • 2篇吉林大学

作者

  • 8篇王超
  • 7篇杨小天
  • 5篇杜国同
  • 4篇荆海
  • 3篇付国柱
  • 3篇赵春雷
  • 3篇唐巍
  • 2篇吕卅
  • 2篇曹健林
  • 2篇马仙梅
  • 2篇常遇春
  • 2篇任伟
  • 2篇郝志文
  • 2篇陈伟利
  • 2篇卢毅成
  • 2篇朱慧超
  • 1篇马凯
  • 1篇高文涛
  • 1篇齐晓薇
  • 1篇高博

传媒

  • 2篇电子器件
  • 1篇分子科学学报
  • 1篇化学研究与应...

年份

  • 2篇2013
  • 2篇2010
  • 1篇2009
  • 3篇2008
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
一种制作薄膜晶体管沟道区以及源、漏电极的新方法
本发明涉及一种制作薄膜晶体管沟道区以及源、漏电极的新方法，属于微电子技术领域。包括涂胶、前烘、曝光、显影、镜检、后烘、腐蚀、用蒸镀、溅射或电子束蒸发等方法沉积电极，实现了沟道长度为L，沟道宽度为W的薄膜晶体管沟道区，两侧...
杨小天王超任伟赵春雷唐巍郝志文陈伟利杜国同卢毅成荆海曹健林付国柱
文献传递
化学水浴法制备Ni(OH)2纳米结构及电化学性能研究
2013年
采用化学水浴法通过简单的合成体系制备了β-Ni(OH)2纳米盘,并直接获得工作电极.利用XRD和SEM对产品进行了表征,并进行了电化学性能测试,结果表明所制备的Ni(OH)2电极在2mol/L KOH溶液中2.5A/g的放电电流密度下,比容量达1 679F/g.
吕卅王超杨小天
关键词：NI(OH)2电极材料超级电容器
Ni(OH)_2和NiO电极材料的原位制备与性能的研究
2013年
采用原位水热生长法在泡沫镍基底上制备了β-Ni(OH)2纳米盘并通过煅烧获得NiO,均可以直接作为工作电极。利用XRD和SEM对样品进行了表征,并进行了电化学性能测试,结果表明我们所制备的Ni(OH)2电极在2 M KOH溶液中2.5 A/g的放电电流密度下,比容量达1495 F/g,通过煅烧得到的NiO,同样可以作为电极材料。
吕卅王超杨小天
关键词：NI(OH)2NIO电极材料
新型有源薄膜晶体管的研制
杨小天王超赵春雷唐巍马仙梅荆海杜国同
(1)课题来源与背景：　　目前，日本东北大学已成功制备出p-ZnO材料，并在材料基础上成功制备出发光器件。日本Rohm公司为大幅度降低LED的制造成本(目标为目前的10分之1)，积极从组件材料着手，已经与东北大学共同合作...
关键词：
关键词：氧化锌晶体管
氧化锌薄膜生长与ZnO基薄膜晶体管制备(英文)被引量：2
2008年
通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法生长ZnO薄膜。XRD测试显示出(002)晶面的强衍射峰,表明生长的ZnO薄膜是主度的c轴取向。基于ZnO薄膜基础,我们制备了ZnO基薄膜晶体管。
马仙梅杨小天朱慧超王超高文涛金虎齐晓薇高博付国柱荆海马凯常遇春杜国同
关键词：氧化锌薄膜晶体管MOCVD
氧化锌基薄膜晶体管制备与研究被引量：2
2008年
以玻璃为衬底,利用金属有机化学气相沉积( MOCVD)方法,在360℃附近实现ZnO薄膜的生长。利用ZnO为有源层制备底栅型薄膜晶体管。SiO2被用作栅绝缘材料以有效的抑制漏泄电流的产生,达到氧化锌薄膜晶体管(ZnO-TFT)成功运作目的。ZnO-TFT的电流开关(on/off)比达到104以上。ZnO-TFT在可见光区平均光透过率大约为80 %。以上表明利用ZnO替代传统Si材料作有源层材料制备透明薄膜晶体管是可能的。
杨小天马仙梅朱慧超高文涛金虎齐晓薇高博董秀茹付国柱荆海王超常遇春杜国同曹健林
关键词：氧化锌薄膜晶体管MOCVD
一种制作薄膜晶体管沟道区以及源、漏电极的新方法
本发明涉及一种制作薄膜晶体管沟道区以及源、漏电极的新方法，属于微电子技术领域。包括涂胶、前烘、曝光、显影、镜检、后烘、腐蚀、用蒸镀、溅射或电子束蒸发等方法沉积电极，实现了沟道长度为L，沟道宽度为W的薄膜晶体管沟道区，两侧...
杨小天王超任伟赵春雷唐巍郝志文陈伟利杜国同卢毅成荆海曹健林付国柱
文献传递
氧化锌薄膜晶体管的制备与研究
ZnO作为一种宽禁带半导体材料(室温下禁带宽度为3.37eV),具有比GaN更高的激子束缚能(60meV),具有良好的压电和光电等性能,继GaN之后成为光电研究领域的又一热门研究课题。可用于制备表面声波器件、太阳能电池、...
王超
关键词：ZNOMOCVD射频磁控溅射薄膜晶体管
文献传递
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