王磊
- 作品数：5 被引量：59H指数：2
- 供职机构：华中科技大学光学与电子信息学院武汉光电国家实验室更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家科技重大专项上海市科委纳米专项基金更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺理学更多>>
- 采用纳米压印技术制作DWDM激光器的研究
- 2010年
- 适合DWDM系统应用的高性能DFB半导体激光器是现代光通信系统中发射机的核心光电子器件,光栅的设计和制作是决定器件性能的关键因素之一。目前,基于MOCVD设备的材料外延技术趋于稳定,高速器件封装技术也已经成熟,满足DWDM需求的DFB光栅的加工渐渐成为进一步降低成本的一个瓶颈。本文利用纳米压印技术制作DFB激光器光栅。结果表明,利用纳米压印技术制作出来的DFB激光器性能不逊于用EBL直接制作出的高性能激光器,不仅可以满足DWDM系统的要求,而且还具有生产效率高、成本低的优点。
- 刘文王磊周宁张义文邱飞徐志谋王定理李林松曹明德
- 关键词：DFB激光器纳米压印DWDM光通信
- 纳米压印λ/4相移分布反馈激光器的单模稳定性被引量：2
- 2011年
- 利用沿谐振腔体的一维数值模型着重研究了采用纳米压印技术制作的λ/4相移光栅分布反馈半导体激光器(QPS-DFB-LD)的光谱特性对谐振腔体参数的依赖性。通过将理论计算的结果与实测光谱对照,抽取了用于理论计算的QPS-DFB-LD模型参数。计算结果表明,相移区对中心位置的偏离量较小时(不超过10%)不会对器件的光谱特性造成很大影响,而仅仅是带来微小的蓝移和边模抑制比(SMSR)的变化。而当相移区对中心位置的偏离实际存在时,距离相移区较近的一端光输出功率增大而另一端光输出功率减小,并且距离相移区较近的一端输出光谱SMSR略高。器件两端蒸镀减反膜后所残留的反射率仍会使激射模在一定范围内产生漂移,并使其SMSR产生一定程度上的劣化。
- 周宁李林松曹明德王定理王磊刘文李洵
- 关键词：激光器纳米压印光谱边模抑制比
- 纳米压印制作半导体激光器的分布反馈光栅被引量：4
- 2010年
- 分布反馈(DFB)光栅的制作是半导体激光器芯片的关键工艺,通过纳米压印技术在InP基片表面涂覆的光刻胶上压印出DFB光栅图形,并分别通过湿法腐蚀和干法刻蚀技术将光栅图形转移到InP基片上。所制作的DFB光栅周期为240nm(对应于1 550nm波长的DFB激光器),光栅中间具有λ/4相移结构。采用纳米压印技术制作的DFB光栅相对于通常双光束干涉法制作的光栅具有更好的均匀性以及更低的线条粗糙度,而且解决了双光束干涉法无法制作非均匀光栅的技术难题。相对于电子束直写光刻法,采用纳米压印技术制作DFB光栅具有快速与低成本的优势。采用纳米压印技术在InP基片上成功制作具有相移结构的DFB光栅,为进一步进行低成本高性能的半导体激光器芯片的制作奠定了良好基础。
- 王定理周宁王磊刘文徐智谋石兢
- 关键词：纳米压印半导体激光器干法刻蚀技术湿法腐蚀
- 光纤激光切割铝合金薄板工艺特性研究被引量：52
- 2014年
- 为了探究光纤激光切割铝合金的工艺特性,开展了光纤激光切割2mm厚度AA6061铝合金工艺实验,系统研究了激光功率、切割速度、辅助气压等工艺参数对切割质量的影响规律。在优化工艺参数条件下可以获得根部挂渣小于0.1mm、切面粗糙度小于3μm,且拼合后无肉眼可见间隙的切缝。当激光功率为3.0kW时,光纤激光获得优质切缝的切割速度可达9m/min。结果表明,增大激光功率至3.0kW,提高切割速度至6m/min,升高喷嘴间距至0.5mm或增加辅助气压至1.1MPa后,挂渣量降至0.1mm以下,最小为20μm。当切缝表面粗糙度通常约为3μm,可得到的最小热影响区宽度为10μm。最后,基于线性回归法建立的数学模型,模型预测值和实测值吻合良好。
- 陈聪高明顾云泽王磊杨欢庆曾晓雁
- 关键词：激光技术激光切割铝合金数学模型
- 新型含硅丙烯酸酯型纳米压印胶的研究与应用被引量：1
- 2012年
- 纳米压印技术因其成本低、产量高的优点广受关注,而开发可适用于纳米压印的压印胶成为该工艺的关键。合成了一种硅含量高的单体三(三甲基硅氧基)甲基丙烯酰氧丙基硅烷(TRIS),制备了一种新型紫外纳米压印用含硅丙烯酸酯型压印胶,用四点弯曲实验机和接触角测试仪表征了压印胶与模板的黏附性能,研究了配方组成对模板黏附性能的影响,优化得到了抗黏附性能优异的配方。压印实验结果表明,该压印胶与模板分离时无粘连。AFM与SEM测试结果表明,压印胶上复制得到了线宽149 nm、周期298 nm、深宽比为1的纳米光栅图形,图形结构完整。
- 董会杰辛忠陆馨吕宇皓王磊
- 关键词：紫外纳米压印表面能
