王伟
- 作品数：15 被引量：7H指数：2
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 由pnp双极型晶体管和PMOS构成的CMOS负阻单元
- 2013年
- 使用pnp双极型晶体管和pMOS,按照正反馈产生负阻I-V特性的原理,采用CMOS工艺,设计研制成功CMOS负阻单元,并对它进行了实际的测试与验证,效果良好,而且可以用它作为基础性器件,构成与CMOS工艺相兼容的负阻型逻辑电路,比常规CMOS电路节省大量器件。
- 陈乃金郭维廉陈燕王伟张世林毛陆虹
- 关键词：互补型金属氧化物半导体金属氧化物半导体场效应晶体管
- 聚酰亚胺填埋双沟脊型器件沟道的制作方法
- 一种聚酰亚胺填埋双沟脊型器件沟道的制作方法，包括如下步骤：步骤1：在衬底的表面依次生长有源层和限制层，作为器件的基本结构；步骤2：在限制层的表面制作光刻图形；步骤3：光刻，在限制层的表面刻蚀出双沟脊型结构，刻蚀深度到达有...
- 王宝军朱洪亮赵玲娟王圩潘教青梁松边静安心王伟周代兵
- 文献传递
- CMOS负阻单元逻辑电路及其发展前景被引量：2
- 2010年
- 在回顾了多值逻辑(MVL)电路的优点、分析了共振隧穿器件(RTD)电路的特点和比较了各种类型负阻器件性能的基础上,提出了利用CMOS型负阻单元作为基础性器件设计并实现CMOS型逻辑电路的新概念,并指出了此研究领域的几个重点研究内容和方向。
- 郭维廉牛萍娟李晓云刘宏伟谷晓毛陆虹张世林陈燕王伟
- 关键词：负阻器件逻辑电路设计
- 制备硅基InGaAsP为有源区的1550nm激光器的方法
- 一种制备硅基InGaAsP为有源区的1550nm激光器的方法，包括：在硅衬底上生长二氧化硅层；在二氧化硅层上沿着硅衬底的<110>方向刻蚀出沟槽；清洗；先在沟槽内依次生长第一缓冲层和第二缓冲层；接着在第二缓冲...
- 周旭亮于红艳王伟潘教青王圩
- 标准CMOS工艺单片集成光接收机设计
- 利用0.35?m标准CMOS工艺实现了双光电探测器和前置跨阻放大电路TIA、限幅放大电路LA的单片集成。DPD探测器通过屏蔽衬底载流子的扩散抑制了响应电流的拖尾现象从而提高了带宽。零极点补偿结构跨阻放大器通过在反馈网络引...
- 黄北举张旭王伟董赞关宁陈进陈弘达
- 关键词：跨阻放大器限幅放大器光接收机单片集成
- 文献传递
- 异质掩埋激光器的制作方法
- 一种异质掩埋激光器的制作方法，包括如下步骤：步骤1：在衬底上生长有源层，作为激光器件的发射区；步骤2：在有源层的表面生长SiO<Sub>2</Sub>层，在刻蚀及MOCVD生长过程中起保护作用；步骤3：光刻，在SiO<S...
- 王宝军朱洪亮赵玲娟王圩潘教青陈娓兮梁松边静安心王伟
- 文献传递
- 标准CMOS工艺栅控Si-LED设计与制备被引量：1
- 2010年
- 采用新加坡半导体制备有限公司的0.35um EEPROM双栅标准CMOS工艺设计和制备了U型Si-LED发光器件。器件结构采用P+-N+-P+-P+-P+-N+-P+-P+-P+-N+-P+叉指结构形成U型器件,外部的两个P+区为保护环,在相邻的内部两个P+区之间使用多晶硅作为栅极来调控LED的正偏发光。使用奥林巴斯IC显示镜测得了硅LED实际器件的显微图形,并对器件进行了电学的正反向I-V特性测量。器件在室温下正向偏置,在100～140mA电流下对器件进行了光功率的检测,发光峰值在1089nm处。结果表明,器件发光功率随着栅控电压偏置电流的增加而增加。
- 杨广华毛陆虹黄春红王伟郭维廉
- 关键词：硅发光器件
- 一种硅基正向注入发光器件及其制作方法
- 本发明公开了一种硅基正向注入发光器件及其制作方法，该器件包括：P型硅衬底；嵌入于该P型硅衬底中的N阱；由N<Sup>+</Sup>重掺杂有源区与P<Sup>+</Sup>重掺杂有源区交替构成的U形梳状结构，该U形梳状结构...
- 陈弘达王伟
- 文献传递
- 一种基于同源连续性的超香肠神经网络模型及其构建方法
- 本发明提供了一种基于同源连续性的超香肠神经网络模型及其构建方法，采用前馈式结构，所述超香肠神经网络模型包括：输入层、第一隐藏层和输出层；其中，所述输入层包含M个神经元，所述第一隐藏层包括K组神经元，每组神经元包含L个超香...
- 宁欣李卫军王伟徐健
- 文献传递
- MEMS磁场传感器、双轴磁场传感器和多轴磁场传感器
- 本公开提供一种MEMS磁场传感器、双轴磁场传感器和多轴磁场传感器，MEMS磁场传感器包括：基板；支撑组件，设置在基板上，支撑组件包括：多个基座；移动板，适用于承载敏感元件，敏感元件适用于感应外部磁场的变化；多个折叠梁，设...
- 杨晋玲王伟
