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李勇

作品数:33 被引量:77H指数:5
供职机构:清华大学机械工程学院摩擦学国家重点实验室更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划教育部国际合作项目国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学金属学及工艺电子电信自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 29篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 9篇理学
  • 6篇金属学及工艺
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  • 1篇交通运输工程
  • 1篇一般工业技术
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主题

  • 5篇电子传输
  • 5篇微细
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  • 4篇电火花加工
  • 4篇密度泛函
  • 4篇泛函
  • 4篇分子
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  • 2篇电解加工
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  • 2篇输运
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机构

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作者

  • 31篇李勇
  • 14篇王利光
  • 10篇郁鼎文
  • 5篇佟浩
  • 5篇李勇
  • 4篇陈蕾
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  • 3篇郭良
  • 3篇赵立波
  • 3篇蒋庄德
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  • 3篇李建波
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  • 2篇谢晓丹
  • 2篇塚田捷
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传媒

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  • 2篇西安交通大学...
  • 2篇人工晶体学报
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  • 1篇机械工程学报
  • 1篇物理学报
  • 1篇清华大学学报...
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  • 1篇中国科学(G...
  • 1篇中国微米纳米...

年份

  • 1篇2021
  • 2篇2019
  • 1篇2016
  • 1篇2014
  • 3篇2013
  • 3篇2012
  • 2篇2011
  • 4篇2010
  • 1篇2009
  • 6篇2008
  • 3篇2007
  • 2篇2006
  • 2篇2005
33 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
C20富勒烯分子及异构体的密度泛函方法研究被引量:5
2008年
为更好地研究小富勒烯分子的形成机理和存在方式以及更好地了解它们的各种物理化学性质,利用密度泛函理论,在B3LYP/6-31G*方法和基组水平下对分属D2h、C2h、C2、Ci和D3d对称群的C20富勒烯分子及异构体进行了结构优化、频率计算和自然键轨道分析,得到了它们的能量、能隙、振动光谱、电子结构特性。结果表明:C20分子具有明显的离域特征,这是它虽然违反五元环隔离规则却能够稳定存在的原因;所讨论的C20异构体的能量和能隙差别微小,属于等能体,其稳定性顺序为C2>D2h>D3d>Ci>C2h;各异构体的轨道杂化特征和电子转移特征也基本一致。研究发现红外光谱不适宜用来鉴别C20富勒烯分子的对称性,而喇曼光谱可能将D3d对称群的C20分子辨认出来。
张秀梅王利光郁鼎文李勇
关键词:异构体能级振动光谱
Pentacene分子的Ballistic传导特性(英文)
2006年
在考虑到Pentacene分子的碳原子中的唯一个活跃的π电子的情况下,从理论上研究了两端接有金属电极的Pentacene分子带的Ballistic传导特性.利用相邻原子的HOMO和LUMO之间的小能量级差和相对低的LUMO值,得出了由金属电极桥接的Pentacene分子带的量子传导方程,讨论了金属电极和Pen-tacene分子间界面阻抗对传导性的影响,得出了通过Pentacene分子系统的传导流.
王利光陈蕾郁鼎文李勇TERENCE K S WTSUKADA M
C_(70)分子的电子传导和量子流分布被引量:3
2007年
利用基于Green函数的Tight-Binding方法,对由两条原子线电极连接C70分子长轴端点构成的纳米分子传导系统的电子传导进行了理论研究,得出了入射电子通过C70分子输运到远端点的电子传输谱.其结果揭示出传导能量变化过程中C70分子的阶跃开关特性,说明了传输电子与分子能级共振时传输概率峰值的出现以及能级量子化所产生振荡效应.利用量子流密度理论和Fisher-Lee关系式,在传输谱出现峰值的能量点E=-0.2eV处,计算了C70分子内的量子流分布,并给出了键量子流的最大值和最小值.对全部分子键上的量子流数值进行了模拟并以矢量图表示,还得出了C70分子内量子流分布不均匀的物理原因,证明了C70分子中量子流的分布符合Kirchhoff量子流守恒定律.
王利光李勇郁鼎文田上胜规田捷
关键词:电子传导
耐高温硅隔离压阻力敏芯片的研究被引量:1
2010年
采用微型机械电子系统技术制作出了具有高精度、高频响特点的耐高温硅隔离压阻力敏芯片.根据压阻力敏芯片的版图设计结构,基于弹性薄板小扰度弯曲理论计算分析了压阻力敏芯片的结构尺寸和固有频率.采用静电键合工艺将压阻力敏芯片封装在硼硅玻璃环上,形成倒杯式弹性敏感单元,通过有限元仿真分析了玻璃环对压阻力敏芯片性能的影响.根据温度实验数据及计算结果,得到压阻力敏芯片各温度点的热零点漂移的绝对值均小于0.02%FS·℃-1,说明该压阻力敏芯片的准确度等级优于0.1%FS·℃-1,且零点稳定性好.
赵立波赵玉龙方续东李建波李勇蒋庄德
关键词:微型机械电子系统
缺陷富勒烯C20分子器件的电子输运研究被引量:1
2008年
运用基于第一性原理密度泛函理论(DFT)的非平衡格林函数(NEGF)方法,对正十二面体富勒烯C20分子及其有缺陷的C20分子进行了电子输运性质的研究。通过计算得出了模拟的电子透射谱线。通过比较不同缺陷的分子的传导特性,获得了C20的电子输运特点。通过比较发现,几乎所有情况下缺陷器件的传输概率在电子能量大于0.52eV时都大约是10-10,几乎没有电子透过,所以这种器件可以作为一种响应很好的电子开关;而器件中原子的缺失并没有造成电子传输路径的中断,在大多数情况下,在原子缺失处反而产生更多的传输路径,通路的增多使得器件传输能力得到提高。
张鸿宇王利光李勇郁鼎文
关键词:分子器件密度泛函理论非平衡格林函数电子输运
纳米三苯环分子带不对称电子传导特性被引量:2
2006年
利用基于G reen Function的Tight-b ind ing方法,对由三个苯分子环耦合成的输入与输出电极不对称纳米分子带进行了理论研究。通过数值计算,得出了入射电子通过分子带传输到不对称端点的电子传输谱。利用F isher-Lee关系式和量子流密度理论,在传输峰值的六个能量点E=±0.45 eV、E=±1.06 eV和E=±1.46 eV处,分别计算了分子带内的电子流分布,并且给出了分子带内电子流分布的模拟结果。对电子通过分子带的传输特性和键电子流生成的物理原因给出了合理的解释。
王利光郁鼎文李勇Terence K S W
关键词:电子传输
微型发动机的研究进展
综述了目前国内外典型微型发动机研究的现状和技术特点,介绍了所设计的微型发动机的设计制作,分析了微型发动机的发展趋势和面临的挑战。
李勇曾鸣陈旭鹏吴鑫王飞
关键词:微型发动机微细加工微燃烧
文献传递
耐高温压阻力敏硅芯片及静电键合工艺
2011年
采用微型机械电子系统(MEMS)技术制作出了平膜型硅隔离(SOI)耐高温压阻力敏硅芯片,采用静电键合工艺将该力敏硅芯片封装在硼硅玻璃环上,制作出倒杯式弹性敏感单元.分析了静电键合时力敏硅芯片与玻璃环的对准偏差对力敏硅芯片非线性的影响;实验验证了静电键合工艺对硅芯片温度性能的影响以及制作的耐高温压力传感器的性能.结果表明,对准偏差对硅芯片的非线性有较大影响;静电键合工艺对硅芯片的零位时漂和热零点漂移影响较小;制作的耐高温压力传感器具有优良的性能指标,能满足实际的工程应用需求.
赵立波赵玉龙热合曼.艾比布力方续东李建波李勇蒋庄德
关键词:耐高温
电火花穿孔加工中管状电极振动幅值特性被引量:2
2016年
在采用管状电极高压冲液的电火花穿孔加工中,较大幅值的电极随机振动将导致加工中侧壁短路和二次放电,这对穿孔加工精度和效率造成不利影响。本文以高压冲液管状电极为研究对象,采用仿真、实验验证及对比分析的方法研究了电极微观振动幅值特性。基于ANSYS有限元软件平台,建立了描述电极振动特性的有限元模型,通过数值模拟分析了冲液压力、导向器间隙、穿孔深度、放电间隙、主轴转速、电极悬长多因素对电极振动幅值的影响,分析了多因素耦合情况下各因素对电极振动幅值的影响程度,并进一步进行了实验验证。研究表明导向器间隙、穿孔深度、冲液压力与电极振动幅值成正相关性,减小导向器间隙由10μm至1μm,可有效降低孔径误差20μm。多因素耦合分析得到电极振动幅值影响因素主次顺序为:穿孔深度、冲液压力、放电间隙、主轴转速、电极悬长。此项研究为优化电火花穿孔加工工艺与主轴设计提供依据。
于志强佟浩李勇李勇柴永生王志强
关键词:流固耦合
倒杯式耐高温高频响压阻式压力传感器被引量:10
2010年
采用微型机械电子系统(MEMS)技术制作出了高精度、高灵敏度的硅隔离(SOI)倒杯式耐高温压阻力敏芯片,利用静电键合工艺将力敏芯片封装到玻璃环上,再通过玻璃浆料烧结工艺或高温胶黏剂将玻璃环装配到齐平式机械结构上,从而避免了管腔效应的影响,实现了耐高温高频响压阻式压力传感器的基本制作.通过有限元仿真和实验,分析了安装预紧力对传感器性能的影响,由传感器静态和动态实验得到传感器的精确度为±0.114%FS,动态响应频率为694.4kHz,均满足火工品爆破测试等高温高频动态压力测试的要求.
赵立波赵玉龙李建波梁建强李勇蒋庄德
关键词:微型机械电子系统预紧力
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