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王云生

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：中华人民共和国工业和信息化部更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇低频振荡
  • 1篇噪声
  • 1篇噪声性能
  • 1篇振荡
  • 1篇砷化镓
  • 1篇半绝缘
  • 1篇半绝缘GAA...
  • 1篇半绝缘砷化镓
  • 1篇FET

机构

  • 1篇中华人民共和...

作者

  • 1篇张绵
  • 1篇王云生

传媒

  • 1篇功能材料与器...

年份

  • 1篇2000
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
半绝缘砷化镓中的低频振荡及其对FET噪声性能的影响
2000年
在无光照条件下测量背栅时,部分半绝缘砷化镓材料呈现明显低频振荡。对振荡特性进行了初步研究,并观察了振荡对GaAsMESFET噪声性能的影响。实验结果表明了采用不同低频振荡特性的材料制备器件时，其噪声性能也有差别。
张绵王云生李岚白锡巍
关键词：半绝缘GAAS低频振荡FET噪声性能
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共1页<1>
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