刘学彦
- 作品数：12 被引量：8H指数：2
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- GaP纯绿发光二极管的近红外发光研究被引量：1
- 1993年
- 本文测量了GaP纯绿发光二极管在室温和液氮温度下的近红外发光光谱,观测到许多重叠的宽带发光.按高斯线型对光谱进行拟合,将其分解为6个发光谱峰,讨论了这些深能级发光的来源和它们对GaP发光二极管的发光强度的影响.
- 赵家龙高瑛刘学彦苏锡安丁祖昌毋必先张松斌
- 关键词：近红外发光发光二极管磷化镓
- Ga_(1-x)Al_xAs外延片有源区Al组份的测定方法
- 1998年
- 由于ＧａＡｓ与ＡｌＡｓ晶格常数相近，ＧａＡｓ晶格常数为０．５６５３５ｎｍ，ＡｌＡｓ的晶格常数为０．５６６０５ｎｍ，当固熔体中Ａｌ组份ｘ值从０变到１时，晶格常数变化约为０．１５％．因此，在ＧａＡｓ衬底上生长Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ时，在界面处的失配位错少，...
- 刘学彦
- 关键词：电致发光镓铝砷
- 8-羟基喹啉铝膜的电学输运特性分析
- 1997年
- <正>有机电致发光获得突破性进展以来,8-羟基喹啉铝(Alq)一直是人们关注的焦点.它具有良好的成膜特性、较高的发光效率和好的稳定性,促使有机电致发光器件进入实用阶段Alq是有机电致发光器件中广泛使用的材料,它作为发射层或电子输运层材料,用以研究有机电致发光的机理和探索高效率高稳定性的器件.Alq单层器件,在适当的电极(如镁、铝等)下,也能产生电致发光,且亮度-电流也同样满足线性关系,说明它与多层结构器件的发射机理一样,属复合型发射 但单层Alq膜层的输运特性与接触特性研究较少,而膜层的输运特性和接触特性又是决定Alq在高场(>10~5V/cm)下产生发射的关键问题. 另外,实验观测到单层Alq器件电致发光的衰减与其输运特性的变化有紧密的相关性.本文通过对电流-电压特性及电容-电压特性测试研究,初步了解单层Alq膜层的输运特性,并且对输运过程提出一个简单模型1 实验结果在经过清洗处理的电阻为150Ω/(?)的ITO衬底上,依次蒸发沉积8-羟基喹啉铝,金属镁、银. 沉积条件:8-羟基喹啉铝在4×10~3Pa真空下,以0.
- 张立功蒋大鹏任新光刘学彦李亚君吕安德元金山
- 关键词：电容电压
- 8-羟基喹啉铝/镁结接触特性研究被引量：1
- 1998年
- 在常温下测量了ＩＴＯ／８－羟基喹啉铝／Ｍｇ／Ａｇ结构的有机结型器件的电容－电压和伏安特性．它与常见的半导体结型器件特性有很大不同．在小偏压下，界面附近的空间电荷和表面层积累的载流子共同决定对器件的界面特性．在高偏压下，隧穿注入的载流子在膜层内的漂移对器件的电学特性产生主要影响．
- 张立功刘学彦蒋大鹏吕安德元金山
- 关键词：8-羟基喹啉铝电致发光器件
- 在Si衬底上异质外延GaAs薄膜变激发强度的近红外光致发光被引量：1
- 1995年
- 通过对用ＭＯＣＶＤ（金属有机物化学气相沉积）方法在Ｓｉ衬底上生长的ＧａＡｓ外延薄膜，用不同激发强度下的近红外光致发光研究了液氮温度下峰值能量为１．１３ｅＶ和１．０４ｅＶ两个带谱的发光特性，表明这两个带均属于施主－受主对复合发光。由于发光带中存在着电子－声子耦合，所以应在施主－受主对复合发光能量表示式中计及Ｆｒａｎｋ－Ｃｏｎｄｏｎ位移，从而对复合发光能量表示式进行修正。通过对复合发光带能量随激发强度变化的实验曲线和理论表达式的拟合，确定了峰值为１．１３ｅＶ与１．０４ｅＶ这两个发光带深施主－受主对的束缚能之和分别为０．３００ｅＶ和０．４０１ｅＶ。
- 高瑛赵家龙赵家龙苏锡安刘学彦高鸿楷龚平王海滨
- 关键词：红外光致发光砷化镓硅衬底
- GaAs衬底上生长的Ga_(0.5)In_(0.5)P外延层中的近红外光致发光对激发强度的依赖关系被引量：1
- 1992年
- 本文首次报道了利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在GaAs衬底上生长的有序的Ga_(0.5)In_(0.5)P外延层的近红外光致发光的研究,并观测到深能级产生的三个发光峰,其峰值能量分别为 1.17,0.99和 0.85eV.根据它们的近红外发光光谱随着激发强度的变化关系,我们证实这些发光都是由于施主-受主对复合产生的发光.
- 赵家龙高瑛刘学彦苏锡安梁家昌关兴国章其麟
- 关键词：衬底红外光谱
- MOCVD法生长Ⅲ－Ⅴ族化合物材料近红外光致发光的测量
- 1994年
- 本文利用近红外光致发光技术测量了ＭＯＣＶＤ生长的Ⅲ－Ⅴ族化合物Ｇａ＿（０．５）Ｉｎ＿（０．５）和ＩｎＰ中的深能级发光，研究了这些深能级发光对激发强度和温度的依赖关系；讨论了Ｇａ＿（０．５）Ｉｎ＿（０．５）Ｐ外延层深能级发光的辐射机理和来源，得出了ＩｎＰ外延层的Ｃ带发光的热激活能。
- 刘学彦高瑛赵家龙
- 关键词：化合物半导体光致发光
- 纯绿LED的辐射机理和深能级研究
- 1992年
- 本文结合N-free GaP材料外延生长和器件研制,用时间分辨光谱和发射光谱对温度的依赖关系,研究了构成绿色辐射的不同跃迁过程,测量了它们的光生载流子寿命.通过阴极射线轰击芯片前后深能级瞬态谱(DLTS)的分析,并根据退化过程中近红外光谱的变化,探讨了影响纯绿LED效率的主要因素.
- 高瑛赵家龙苏锡安刘学彦胡恺生丁祖昌毋必先华为民
- 关键词：发光器件LED能级
- 注入Si中的稀土离子Er^（3＋）的光学特性被引量：3
- 1994年
- 用离子注入方法，将稀土离子Ｅｒ３＋注入到ｎ－Ｓｉ单晶中，通过对其低温（７７Ｋ）光致发光光谱的测量，研究其光学特性．结果表明，注入剂量控制在１×１０１２ｃｍ－２～１×１０１５ｃｍ－２范围，退火温度控制在９００℃～１１００℃时，样品的主要发光峰值位于１．５４μｍ左右．研究了样品的光致发光光谱随注入剂量、退火温度的变化关系，给出峰值在１．５４μｍ附近的未分辨开的谱线的半宽为１６．４ｍｅＶ．
- 蒋红李菊生李仪金亿鑫刘学彦
- 关键词：离子注入光致发光铒离子
- MOCVD法异质外延GaP/Si薄膜的研究
- 1993年
- 微电子和光电子材料兼容的技术是未来功能器件中的一个重要方向,它可以将成熟的Si集成工艺和GaP优良的发光特性结合起来,完成新一代微型显示和集成光学元件。我们用MOCVD方法在Si衬底上异质外延GaP薄膜,通过X光双晶衍射和能谱分析,在国内用MOCVD方法首次获得了GaP/Si的单晶薄层,并研究了它们的结构特性。
- 高瑛刘学彦赵家龙苏锡安高鸿楷赵星龚平何益民
- 关键词：MOCVD法结构特性
