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刘焱

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：工业和信息化部电子第五研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇带宽
  • 1篇电路
  • 1篇堆叠
  • 1篇三维集成电路
  • 1篇芯片
  • 1篇芯片测试
  • 1篇集成电路
  • 1篇技术演进
  • 1篇高带宽
  • 1篇存储器

机构

  • 1篇工业和信息化...

作者

  • 1篇余永涛
  • 1篇王小强
  • 1篇刘焱

传媒

  • 1篇电子与封装

年份

  • 1篇2023
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
高带宽存储器的技术演进和测试挑战被引量：1
2023年
高带宽存储器(HBM)是一种采用三维堆叠和硅通孔技术的超高宽带、低功耗的新型动态随机存取存储器(DRAM),主要应用在高性能计算处理器、人工智能计算加速卡、高端专业显卡等高性能计算领域。国际电子元件工业联合会(JEDEC)先后发布了3代HBM技术标准,并在2022年1月发布了第四代JESD238 HBM3 DRAM技术标准,为新一代高带宽内存指定了发展方向。系统梳理了HBM技术标准的发展,介绍了HBM技术在输入输出接口速度、带宽和存储容量方面的突破,结合HBM的技术特点,研究分析了HBM晶圆级堆叠芯片的测试技术及其面临的挑战。
陈煜海余永涛刘天照刘焱罗军王小强
关键词：三维集成电路
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共1页<1>
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