吕菲
- 作品数：3 被引量：17H指数：3
- 供职机构：中国电子科技集团公司更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 锗晶片化学机械抛光的条件分析被引量：10
- 2008年
- 在不同条件下(不同助剂比例和不同研磨液浓度),通过对锗化学机械抛光速率变化的研究,探讨了锗片在SiO2胶体磨料与H2O2混合液加抛光助剂条件下的化学机械抛光过程,分析了助剂比例对抛光速率的影响。
- 刘春香杨洪星吕菲赵权
- 关键词：抛光
- InP单晶片翘曲度控制技术研究被引量：3
- 2014年
- InP单晶片受热场及机械损伤的作用而产生翘曲形变,这种形变在外延过程中会产生滑移线,也会影响外延层厚度均匀性,最终影响外延质量,因此必须采取措施对InP衬底的翘曲度加以控制。切割工艺是影响晶片翘曲度的关键,但受InP单晶特性及切割工艺自身的限制,InP切片的翘曲度仍保持在一个较高的水平,不能满足高质量外延的要求,需要采取措施进一步降低翘曲度。讨论了用化学腐蚀方法降低InP单晶切片翘曲度,研究了化学腐蚀液的组分、温度及腐蚀去除量对InP单晶片翘曲度的影响,综合工艺的稳定性和实际操作的便利性及晶片翘曲度的实际测试结果,确定了降低InP单晶片翘曲度的适宜工艺。
- 吕菲刘春香于妍
- 关键词：INP翘曲度
- VB-GaAs抛光片表面粗糙度研究被引量：4
- 2007年
- 将表面粗糙度作为评价垂直布里奇曼法砷化镓(VB-GaAs)抛光片表面质量的一项技术指标,研究了不同粒径的抛光液对VB-GaAs抛光片表面粗糙度的影响。通过试验对比,对于不同抛光阶段(包括粗抛、细抛及精抛三个阶段)进行了分析,粗抛阶段应采用较大粒径的抛光液,细抛阶段应采用稍小粒径的抛光液,而精抛阶段应采用小粒径的抛光液。
- 杨洪星李响刘春香吕菲
- 关键词：砷化镓抛光技术表面粗糙度
