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陈建跃

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团公司更多>>
相关领域：金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文专利

主题

  • 2篇单晶
  • 2篇单晶片
  • 2篇倒角
  • 2篇砂轮
  • 2篇晶片
  • 2篇滑移线
  • 2篇硅单晶
  • 2篇硅单晶片
  • 2篇硅片
  • 2篇厚层

机构

  • 2篇中国电子科技...

作者

  • 2篇康洪亮
  • 2篇陈建跃
  • 2篇张伟才
  • 2篇赵权

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2013
共 3 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
一种加工厚层外延用硅单晶片的倒角砂轮及倒角方法
本发明涉及一种加工厚层外延用硅单晶片的倒角砂轮及倒角方法。砂轮粗倒角槽直径比晶片厚度小120～150μm，半角度18～22°，深度1000±100μm，金刚石粒度600～1000#；精倒角槽直径比晶片厚度小160~180...
张伟才陶术鹤陈建跃康洪亮赵权
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一种加工厚层外延用硅单晶片的倒角砂轮及倒角方法
本发明涉及一种加工厚层外延用硅单晶片的倒角砂轮及倒角方法。砂轮粗倒角槽直径比晶片厚度小120～150μm，半角度18～22°，深度1000±100μm，金刚石粒度600～1000#；精倒角槽直径比晶片厚度小160~180...
张伟才陶术鹤陈建跃康洪亮赵权
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