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领域

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主题

  • 2篇电路
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  • 1篇冗余
  • 1篇冗余技术
  • 1篇纳米
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  • 1篇金属
  • 1篇金属纳米
  • 1篇金属纳米晶
  • 1篇库仑阻塞
  • 1篇编程

机构

  • 5篇上海交通大学

作者

  • 5篇林昆
  • 1篇黄征
  • 1篇何波涌
  • 1篇施亮
  • 1篇顾怀怀
  • 1篇程秀兰

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇微计算机信息
  • 1篇信息安全与通...

年份

  • 2篇2011
  • 1篇2009
  • 2篇2008
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
基于Intel VT-d技术的虚拟机安全隔离研究被引量:10
2011年
资源隔离是计算机安全的一个重要手段,良好的安全隔离使得虚拟机技术成为近年来学术界和工业界的热点。在深入分析Linux环境下Xen完全虚拟化技术理论的基础上,设计了一个基于IntelVT技术的虚拟机安全隔离设计方案。该方案通过安全内存管理(SMM)和安全I/O管理(SIOM)两种手段进行保护,完善了Xen宿主机系统与虚拟机系统之间的安全隔离,为Xen虚拟机在实际的安全隔离环境中的应用提供了较高的安全保障。
林昆黄征
关键词:虚拟化XEN
基于钴硅化物电迁移现象的电熔丝器件的优化设计与研究被引量:1
2009年
设计了一种完全兼容现有0.18μm标准CMOS工艺的,利用电迁移现象的,价格低廉的电熔丝器件结构。结果表明,在该结构下,通过优化参数,所获得的eFUSE器件结构,熔断后电阻高达107欧姆数量级,熔断率高达99%,解决了传统结构下中熔丝熔断后电阻太小,局部过热可能产生爆裂的问题。
林昆何波涌
关键词:电迁移CMOS集成电路冗余技术硅化物
基于钴硅化物电迁移现象的新电熔丝结构设计
为了提高集成电路的生产率,避免芯片中部分器件失效而导致整个电路失效,而引入了基于熔丝技术的冗余技术。电编程熔丝(eFUSE)以其体积小、成本低廉、可缩小性强、可以在封装之后再进行配置等众多优点,因而其在现代集成电路设计中...
林昆
关键词:集成电路
文献传递
金属纳米晶存储器件数据保持能力建模与验证被引量:1
2008年
金属纳米晶存储器件具有低功耗、高速读写特性及较高的可靠性,因此近年来在非易失存储器研究领域备受关注。对比分析讨论了量子限制效应与库仑阻塞效应对金属纳米晶费密能级的影响后,发现库仑阻塞效应会严重削弱器件数据保持能力。在综合考虑金属纳米晶量子限制效应和库仑阻塞效应的基础上,提出了金属纳米晶存储器件数据保持能力分析模型,并通过与相关研究文献的实验数据对比分析,证实了本模型的合理性。
顾怀怀程秀兰施亮林昆
关键词:金属纳米晶存储器库仑阻塞
基于Intel VT-d技术的虚拟机安全隔离研究
近几年,随着互联网业务的飞速发展,以及计算机硬件能力的不断升级,虚拟化技术得到了广泛的应用,随着Intel VT技术的推出,出现了一大批性能优异的虚拟化技术,Xen就是之中的代表之一。Xen具有开源、高效的特点,但Xen...
林昆
关键词:XEN
文献传递
共1页<1>
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