李俊霖
- 作品数：23 被引量：2H指数：1
- 供职机构：西北核技术研究所更多>>
- 发文基金：国家重点实验室开放基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学核科学技术自动化与计算机技术更多>>
- 散裂中子源1MeV等效中子注量的测量方法
- 本发明属于辐射探测领域，涉及一种散裂中子源1MeV等效中子注量测量的方法。解决了现有散裂中子源中子束流无法直接提供1MeV等效中子注量且计算等效注量不确定度较大的技术问题，本发明采用的方法是利用双极型晶体管增益倒数和1M...
- 刘岩陈伟郭晓强金晓明李俊霖杨善潮王晨辉白小燕
- 文献传递
- 脉冲中子辐照下三极管电流-时间响应曲线的试验研究被引量：1
- 2020年
- 利用西安脉冲反应堆(XAPR)的脉冲中子进行辐照,在固定发射极电流下,测量了9种类型三极管的电流-时间响应曲线。理论分析认为,可将基极电流的时间响应分为3个阶段:第1阶段基极电流随时间增大而减小,该过程主要受光电流的影响;第2阶段基极电流随时间增大而快速增大,该过程主要受位移损伤缺陷累积作用的影响;第3阶段基极电流随时间增大而减小并趋于稳定,该过程主要受位移损伤缺陷短期退火的影响。基于测量的集电极电流和基极电流,计算了三极管的放大倍数及短期退火曲线。结果表明,9种类型三极管辐照前后放大倍数的变化率之比大于2,但短期退火曲线差别较小,最大退火因子为1.2~1.3,远小于快堆上得到的短期退火因子2~5。分析认为,该结果是因为加电辐照和XAPR脉宽较长造成的,高载流子密度和长脉宽下,脉冲中子辐照期间缺陷的产生与演化同步发生,导致有效的缺陷数量减少,短期退火因子变小。同时,研究发现,短期退火曲线呈指数衰减,这与缺陷演化的一级动力学过程相符。
- 白小燕白小燕王桂珍刘岩金晓明王桂珍王晨辉齐超
- 关键词：脉冲中子三极管
- 脉冲中子辐射条件下SRAM的中子单粒子翻转甄别方法
- 本发明涉及一种脉冲中子辐射条件下SRAM的中子单粒子翻转甄别方法，包括分类翻转字节；将不同翻转类型的字节对应的翻转位数进行蒙特卡罗模拟计算；统计计算随着翻转位数的累积，不同翻转类型的字节数及不同翻转类型字节包含的翻转位数...
- 陈伟齐超王晨辉郭晓强杨善潮王桂珍李瑞宾白小燕刘岩金晓明李俊霖
- 文献传递
- 不同负载条件下LDO中子辐射效应
- 对不同型号的LDO进行了中子辐射效应实验研究,得到了不同负载条件下输出电压随中子注量的变化关系。结果表明,不同型号LDO的中子辐射效应受负载条件影响不同,特定电路结构的LDO的中子辐射失效阈值与负载条件密切相关。通过电路...
- 金晓明白小燕李瑞宾刘岩李俊霖齐超王晨辉
- 关键词：LDO
- 一种预测三极管累积剂量后瞬时光电流持续时间的方法
- 本发明具体涉及一种预测三极管累积剂量后瞬时光电流持续时间的方法，解决了当前测量方法耗费大量时间以及能源的问题。本发明包括以下步骤：(1)得到累积剂量为零的三极管的基极电流随基极电压的变化曲线；(2)对三极管进行瞬时电离辐...
- 李瑞宾陈伟李俊霖王晨辉刘岩齐超刘炜剑甘惠元金晓明白小燕
- 基于栅控技术进行散裂中子源1MeV等效中子注量测量的方法
- 本发明提供基于栅控技术进行散裂中子源1MeV等效中子注量测量的方法，解决了现有散裂中子源测量低通量1MeV等效中子注量手段有限的技术问题，本发明利用双极型晶体管少数载流子寿命倒数和1MeV等效中子注量呈线性关系的特点，实...
- 刘岩陈伟郭晓强金晓明李俊霖白小燕王晨辉薛院院
- 文献传递
- NPN型双极晶体管中子位移损伤差异实验研究
- 2024年
- 利用西安脉冲反应堆(Xi’an pulsed reactor,XAPR)的稳态中子对NPN型双极晶体管(NPN bipolar junction transistor,NPN-BJT)进行中子辐照实验,开展NPN-BJT不同固定发射极电流I_(E)条件下的中子位移损伤差异研究。研究结果表明:同一I_(E)条件下,集成NPN-BJT与2N2222A NPN-BJT的电流增益退化都随辐照中子注量的增加呈逐渐增强趋势;在同一中子注量辐照下,随双极晶体管固定I_(E)的增大,中子辐射损伤常数K_(τ)降低,中子辐照前后电流增益的变化量减小,晶体管电流增益退化程度减弱,因此在一定范围内,提高固定I_(E)可在一定程度上增强NPN-BJT抗中子辐射能力。
- 刘炜剑李瑞宾王桂珍白小燕金晓明刘岩齐超王晨辉李俊霖
- 关键词：电流增益
- 一种系统级封装瞬时剂量率效应的硬件测试系统及方法
- 本发明涉及电子学系统瞬时剂量率效应的测试系统，具体涉及一种系统级封装瞬时剂量率效应的硬件测试系统及方法，解决了现有的瞬时剂量率效应硬件测试系统功能单一，无法实现对系统级封装的瞬时剂量率效应测试的技术问题。本发明为系统级封...
- 李俊霖李洋郭亚鑫贺朝会陈伟李瑞宾李维刘炜剑
- 一种双极型晶体管位移效应数值模拟方法
- 本发明属于辐射效应数值模拟技术领域，涉及一种双极型晶体管位移效应数值模拟方法。该方法从中子辐照后双极型晶体管位移损伤缺陷的实测数据出发，建立位移损伤缺陷模型，完成中子位移效应的数值模拟。本发明突破了现有少数载流子寿命法不...
- 陈伟王晨辉郭晓强杨善潮刘岩李俊霖龚建成
- 文献传递
- 四种中子源条件下SRAM中子单粒子翻转效应
- 利用14 MeV、2.5 MeV两种单能中子、反应堆中子、散裂中子分别开展了工艺节点40～500 nm的商用SRAM器件的中子辐射效应实验研究。实验中测量了单粒子翻转数随累积中子注量的变化关系,研究了SRAM器件中子单粒...
- 金晓明陈伟李俊霖齐超刘岩郭晓强王晨辉
- 关键词：中子单粒子翻转SRAM截面
- 文献传递
