刘云
- 作品数:10 被引量:2H指数:1
- 供职机构:东华理工大学更多>>
- 发文基金:国家自然科学基金更多>>
- 相关领域:电子电信一般工业技术文化科学更多>>
- 氧等离子体处理对GaAs表面单层自组装SiO2纳米球薄膜的影响
- 2020年
- 二维纳米阵列结构因其重要的光学性能被广泛应用于各类光电子器件。本文对自组装单层SiO2纳米球掩模刻蚀法制备GaAs纳米柱二维阵列结构的关键工艺技术进行了研究。采用旋涂法在GaAs表面制备自组装单层SiO2纳米球,重点研究了GaAs表面氧等离子体亲水处理工艺对纳米球排列特性的影响,获得最佳工艺条件为功率配比100 W+80 W、腔室压力4 Pa、氧气流量20 mL/min、处理时间1200 s,并最终得到排列紧密的大面积单层纳米球薄膜。以单层纳米球为掩模,采用感应耦合等离子体刻蚀技术在GaAs表面制备了纳米柱阵列并测试了其表面光反射谱。测试结果表明,GaAs纳米柱阵列在特定波段的反射率降低至5%,远低于表面无纳米结构的薄膜材料表面高达40%的光反射。分析表明纳米柱可以激发米氏散射共振效应,从而有效降低反射率并提升光吸收。
- 王智栋刘云彭新村邹继军朱志甫邓文娟
- 关键词:ICP刻蚀
- 一种GaAs纳米光学共振结构光电阴极电子源及其制备方法
- 本发明公开了一种GaAs纳米光学共振结构光电阴极电子源,属于光电阴极技术领域,结构由下至上依次包括P型半导体衬底、纳米光学共振发射层有源区和表面激活层。利用纳米光学共振结构与入射光作用产生的光学共振效应,将光场和电荷局限...
- 彭新村邹继军刘云邓文娟朱志甫王炜路冯林王智栋
- 一种GaAs纳米光学共振结构光电阴极电子源及其制备方法
- 本发明公开了一种GaAs纳米光学共振结构光电阴极电子源,属于光电阴极技术领域,结构由下至上依次包括P型半导体衬底、纳米光学共振发射层有源区和表面激活层。利用纳米光学共振结构与入射光作用产生的光学共振效应,将光场和电荷局限...
- 彭新村邹继军刘云邓文娟朱志甫王炜路冯林王智栋
- 文献传递
- 一种二氧化钒薄膜真空计及其制备方法
- 本发明公开了一种二氧化钒薄膜真空计,该真空计的核心是二氧化钒薄膜,二氧化钒薄膜可以通过管式炉在SiO<Sub>2</Sub>/Si、Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>/Si、石英、蓝宝石等衬底上生长得...
- 邹继军卜毅朱志甫邓文娟刘云
- 文献传递
- SiO2纳米球的粒径均一性研究及其在硅光学共振纳米柱阵列中的应用被引量:2
- 2019年
- 近年来,半导体纳米结构材料的光学共振效应作为一种重要的光调控手段被广泛应用于各类光电子器件。本文用改进的两步Stober法制备了粒径在270~330 nm之间的单分散二氧化硅纳米球,通过优化工艺参数有效改善了纳米球的粒径均一性。采用恒温加热蒸发引诱自组装方法将纳米球在硅半导体上自组装成单层膜作为掩膜,采用感应耦合等离子体技术刻蚀制备了硅纳米柱阵列并测试了其光反射谱。光谱结果表明直径在300~325 nm之间的硅纳米柱阵列可以激发四极子Mie光学共振,其在可见光波段的最低反射率低于5%,具有良好的光调控性能。
- 彭新村王智栋曾梦丝刘云邹继军朱志甫邓文娟
- 关键词:纳米阵列光学共振
- GaAs基光学共振纳米阵列结构的制备工艺及其应用研究
- 共振纳米结构因具有定向散射光的特性,被广泛用于制备有效的抗反射涂层,随着纳米阵列结构制备工艺的迅速发展,通过在材料表面制备一层共振纳米结构可以针对特定波段增强吸收的“光管理”作用被广泛应用于光电领域。砷化镓(GaAs)光...
- 刘云
- 关键词:砷化镓光电阴极
- 文献传递
- 一种二氧化钒薄膜真空计及其制备方法
- 本发明公开了一种二氧化钒薄膜真空计,该真空计的核心是二氧化钒薄膜,二氧化钒薄膜可以通过管式炉在SiO<Sub>2</Sub>/Si、Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>/Si、石英、蓝宝石等衬底上生长得...
- 邹继军卜毅朱志甫邓文娟刘云
- 一种利用管式炉生长大面积单晶二氧化钒薄膜方法
- 本发明公开了一种利用管式炉生长大面积单晶二氧化钒薄膜的方法,在一定厚度的SiO<Sub>2</Sub>/Si、Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>/Si、硅、石英和蓝宝石等实验基片上,采用气‑固方式生长...
- 卜毅邹继军朱志甫邓文娟刘云
- 抚州地方文化资源在初中语文课程中的开发与利用
- 文化,是在人类社会中的一种精神活动及其产物,文化可以分为物质文化和非物质文化。地方文化是一个地方物质文明与精神文明相互作用的文化,是与本土生活息息相关的文化。2017年新课标也明确提出,各地区、学校都蕴藏着多种语文课程资...
- 刘云
- 关键词:地方文化初中语文课
- 文献传递
- 一种利用管式炉生长大面积单晶二氧化钒薄膜的方法
- 本发明公开了一种利用管式炉生长大面积单晶二氧化钒薄膜的方法,在一定厚度的SiO<Sub>2</Sub>/Si、Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>/Si、硅、石英和蓝宝石等实验基片上,采用气‑固方式生长...
- 卜毅邹继军朱志甫邓文娟刘云
- 文献传递