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张经纬

作品数:18 被引量:13H指数:2
供职机构:中国矿业大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电气工程电子电信更多>>

文献类型

  • 12篇专利
  • 5篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 7篇电气工程
  • 2篇电子电信

主题

  • 4篇电感
  • 4篇母排
  • 3篇电路
  • 3篇杂散电感
  • 3篇逆变
  • 3篇逆变器
  • 3篇门极
  • 3篇晶体管
  • 2篇电荷
  • 2篇电路结构
  • 2篇短路
  • 2篇短路保护
  • 2篇虚部
  • 2篇有源钳位
  • 2篇实部
  • 2篇矢量
  • 2篇双极型
  • 2篇双极型晶体管
  • 2篇钳位二极管
  • 2篇相角

机构

  • 18篇中国矿业大学

作者

  • 18篇张经纬
  • 12篇何凤有
  • 10篇王强
  • 8篇谭国俊
  • 4篇叶宗彬
  • 2篇梁睿
  • 2篇邓先明
  • 2篇于东升
  • 1篇吴翔
  • 1篇耿程飞
  • 1篇胡红胜
  • 1篇程植
  • 1篇李晓辉

传媒

  • 4篇电力电子技术
  • 1篇电工技术学报

年份

  • 5篇2023
  • 1篇2021
  • 2篇2020
  • 2篇2019
  • 4篇2018
  • 4篇2017
18 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种变功率因数下开关损耗优化的Z源逆变器控制方法及装置
本发明公开了一种变功率因数下开关损耗优化的Z源逆变器控制方法及装置,该方法基于空间矢量控制方法,该方法包括:通过电压参考矢量与<I>α</I>‑<I>β</I>坐标系中坐标轴<I>α</I>轴的夹角<I>θ</I>、电压...
姜翼展郭志康张经纬王强何凤有
一种开关损耗优化的Z源逆变器调制策略
2023年
现有的Z源逆变器调制策略较少考虑功率因数的变化。当功率因数变化时,由于通过开关器件的电流发生相位变化,原有调制策略所产生的开关器件损耗便不是最优的。该文提出一种广义Z源逆变器空间矢量调制(ZSVM2)策略,可以实现功率因数小于1时开关损耗最优。该文通过分析Z源逆变器独有的直通电流分布情况,得到开关损耗的计算方法。通过移动开关器件所通过的直通电流与交流电流相对位置,找到最低开关损耗发生位置。最后,通过Matlab/Simulink并联合PLECS仿真证明了所提出调制方法的有效性,同时搭建了小功率平台进行实验验证。该策略不与其他控制策略冲突,可以在此基础上叠加其他策略。
姜翼展张经纬何凤有王强张伟峰
关键词:Z源逆变器空间矢量调制
一种基于有源钳位反馈型的IGBT过流检测装置及方法
本发明提供一种基于有源钳位反馈型的IGBT过流检测方法,所述方法包括:当IGBT出现过流时,IGBT关断出现电压尖峰,当IGBT两端电压超过有源钳位二极管的击穿电压时,有源钳位电路工作,将IGBT钳位在保护电压上;检测电...
何凤有耿程飞张经纬王强
文献传递
适于多换流回路共层叠母排电路结构的IGBT过压解耦方法
本发明提供一种适于多换流回路共层叠母排电路结构的IGBT过压解耦方法,该方法具体包括以下步骤:采用PEEC法得出每相层叠母排的等效电路;统计每相等效电路中存在的换流路径;根据换流路径得出具有过压风险的暂态耦合电路;将暂态...
何凤有谭国俊耿程飞张经纬王强黄德雷
文献传递
基于门极电荷Q<Sub>g</Sub>的大功率IGBT故障诊断及保护方法和装置
本发明提供了一种基于门极电荷<I>Q</I><Sub><I>g</I></Sub>的大功率IGBT故障诊断及保护方法,该方法包括,采集IGBT的门极电流信号;将采集到的IGBT门极电流信号进行积分和复位运算,得到IGBT...
耿程飞张经纬王强何凤有叶宗彬
文献传递
基于PCB罗氏线圈的SiCMOSFET短路保护研究被引量:4
2017年
SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)过短的短路承受时间增大了短路保护的难度,传统退饱和法较长的检测时间容易对SiC MOSFET造成严重冲击。印制电路板(PCB)罗氏线圈高带宽交变电流检测及反应灵敏的特性,使其适用于功率器件短路的快速检测。在SiC MOSFET发生短路时,利用PCB罗氏线圈配合复合式积分电路提取瞬态变化电流,进行反馈控制,有效缩短短路保护的延迟时间。通过软关断,减小关断过程中过高的电流变化率导致的过压对SiC MOSFET造成过大的冲击。实验结果表明,采用PCB罗氏线圈电流检测法能在短路发生第一时间迅速可靠地关断SiC MOSFET,实现短路保护。
张经纬李晓辉谭国俊
关键词:晶体管印制电路板短路保护
一种基于有源钳位反馈型的IGBT过流检测装置及方法
本发明提供一种基于有源钳位反馈型的IGBT过流检测方法,所述方法包括:当IGBT出现过流时,IGBT关断出现电压尖峰,当IGBT两端电压超过有源钳位二极管的击穿电压时,有源钳位电路工作,将IGBT钳位在保护电压上;检测电...
何凤有耿程飞张经纬王强
文献传递
SiC MOSFET开关行为及故障诊断研究
作为一种新型的宽禁带半导体材料,碳化硅(SiC)功率器件因其出色的物理及电特性正越来越受到电力电子行业的广泛关注。SiC MOSFET模块因其低导通电阻,高开关速率等性能优点,被认为是最有可能取代目前广泛应用的Si IG...
张经纬
关键词:短路保护
文献传递
适于多换流回路共层叠母排电路结构的IGBT过压解耦方法
本发明提供一种适于多换流回路共层叠母排电路结构的IGBT过压解耦方法,该方法具体包括以下步骤:采用PEEC法得出每相层叠母排的等效电路;统计每相等效电路中存在的换流路径;根据换流路径得出具有过压风险的暂态耦合电路;将暂态...
何凤有谭国俊耿程飞张经纬王强黄德雷
文献传递
基于门极电荷Q<Sub>g</Sub>的大功率IGBT故障诊断及保护装置
一种基于门极电荷<I>Q</I><Sub><I>g</I></Sub>的大功率IGBT故障诊断及保护装置,包括PWM输入模块、故障输出模块、FPGA/CPLD逻辑处理模块、推挽电路、电流采样电路、积分电路、高速AD采集模...
耿程飞张经纬王强何凤有叶宗彬
文献传递
共2页<12>
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