张莉
- 作品数：9 被引量：30H指数：3
- 供职机构：清华大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划清华大学校科研和教改项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学冶金工程更多>>
- 逆流色谱溶剂体系选择的溶液理论模型被引量：9
- 1997年
- 从溶液理论出发，建立一个预测和选择逆流色谱溶剂体系的模型，预测了影响分离效果的两相分相情况、两相相比、密度、界面张力等因素，并估算了溶质的分离情况。用文献值和实验值对预测结果进行了检验，结果表明，各参数的预测结果较好，溶质分离情况的估算可指导确定溶质的出峰顺序。
- 张莉李总成陈健包铁竹
- 关键词：逆流色谱UNIFAC模型溶剂体系
- TIGBT的稳态和瞬态模型
- 2003年
- 从沟槽绝缘栅双极晶体管 (TIGBT)的物理结构出发 ,提出了 TIGBT的稳态模型和瞬态模型 .该模型不仅考虑了槽底电子积累层引起的基区电导调制作用增强效应 ,而且还考虑到缓冲层对器件性能的影响 .通过与器件模拟结果的比较 ,表明该模型能准确地描述 TIGBT稳态和瞬态时的物理特性 .
- 张莉鲁耀华田立林
- 关键词：稳态模型缓冲层
- VDMOS场效应晶体管电路模型的构造及参数提取(英文)被引量：1
- 2002年
- 从 VDMOS的物理结构出发建立子电路模型 ,进而导出描述其交直流特性的参数及模型公式 .相对以往文献的结果 ,该模型避免了过多工艺参数的引入 ,同时对子电路进行了有效的简化 .在参数提取软件中的加载结果表明 ,该模型结构简单 ,运算速度快 ,物理概念清晰 ,拟合曲线与测试数据符合精度高 (直流误差 5 %以内 ,交流误差10 %以内 ) 。
- 赖柯吉张莉田立林
- 关键词：电路模型场效应晶体管VDMOS
- 片上差分螺旋电感模型及参数提取被引量：1
- 2010年
- 为了完善现有的射频CMOS电路中片上差分螺旋电感的模型,提出了一种从测量得到的S参数采用改进差分进化算法提取有中心抽头的片上差分螺旋电感参数的方法。等效电路采用考虑了趋肤效应的2-π模型,基于改进差分进化算法的自动参数提取过程被证明是有效的。为验证该方法,制备并测试了17个有中心抽头的差分螺旋电感,2端口S参数的频率范围为0.3~8.5 GHz。参数提取结果表明,17个电感的RMS误差均在9%以内。良好的参数提取精度证明了该建模方法的灵活性和有效性。该方法可用于射频以及混合信号集成电路设计。
- 张莉唐杨刘博王燕余志平
- 关键词：射频CMOS
- POP型SiC JBS二极管结构的改进与性能优化
- 2013年
- 为了进一步提高SiC JBS的反向击穿特性和BFOM值,对POP型SiC JBS结构进行了重要改进。虽然它们都是采用外延的方法在一个较窄的轻掺杂P阱上面再制作一个较宽的重掺杂P区,但是改进的结构在二者的界面附近存在一段等宽区,即P阱的上半部分与重掺杂P区同宽,从而大幅度降低重掺杂P区的边缘电场集中效应以提高击穿电压。通过理论分析与MEDICI软件仿真,深入探讨了这种结构变化对器件性能的影响。结果表明,在不增加额外工艺的情况下,改进的结构可大幅度提高BFOM和击穿电压。
- 信婉清岳瑞峰张莉王燕
- 关键词：击穿电压
- TIGBT的瞬态解析模型
- 2003年
- 提出了一种含缓冲层的沟槽绝缘栅双极晶体管(TIGBT)的瞬态解析模型。该模型不仅考虑到TIGBT的高掺杂缓冲层处于小注入状态,分析了缓冲层对TIGBT关断特性的影响,而且还考虑了槽底电子积累层引起的基区电导调制作用的影响。通过与数值模拟结果的比较,表明该模型能准确地描述TIGBT瞬态时的物理特性。
- 鲁耀华张莉田立林
- 关键词：关断特性
- 2.4GHz全集成CMOS Doherty功率放大器被引量：1
- 2011年
- 采用0.18μm CMOS工艺设计并制作了一个2.4 GHz全集成CMOS Doherty功率放大器。着重考虑了片上螺旋电感的回流路径对电感模型的影响,并在设计中使用了一种新颖的螺旋电感版图结构来避免回流路径的影响。实测结果表明该功率放大器增益达到16dB,1dB压缩点为20.5dBm,峰值输出功率和对应功率附加效率分别为21.2dBm和20.4%,整个芯片面积为2.8mm×1.7mm。
- 杨东旭王洪瑞唐杨曾大杰张雷张莉余志平
- 关键词：电感DOHERTY功率放大器全集成
- 一种40 ns 16 kb EEPROM的设计与实现被引量：9
- 2005年
- 基于0.35μmCMOS工艺,设计并实现了一个3.3V16kbEEPROM存储器。该电路采用2k×8的并行结构体系。通过优化设计灵敏放大器、位线译码和字线充放电等电路,加快了读取速度,典型值仅40ns;通过编程模式和编程电路的设计,提高了编程速度,页编程时间为2ms,等效于每字节62ms。重点研究了片上高压产生电路,提出了一种在不增加工艺难度和设计复杂度的情况下提供良好性能的电荷泵电路。电路的单元面积为11.27μm2,芯片尺寸约1.5mm2。
- 徐飞贺祥庆张莉
- 关键词：EEPROM电荷泵灵敏放大器并行编程
