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郑小明

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学微电子与固体电子学院更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇会议论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇电子特性
  • 2篇氧化硅
  • 2篇原子
  • 2篇原子结构
  • 1篇导通
  • 1篇导通电阻
  • 1篇等离子显示
  • 1篇等离子显示板
  • 1篇电路
  • 1篇电阻
  • 1篇时钟
  • 1篇时钟频率
  • 1篇显示板
  • 1篇逻辑控制
  • 1篇晶型
  • 1篇击穿电压
  • 1篇过渡层
  • 1篇薄膜电路
  • 1篇PDP
  • 1篇SI

机构

  • 4篇电子科技大学

作者

  • 4篇郑小明
  • 2篇乔明
  • 2篇荣丽梅
  • 2篇杜龙欢
  • 2篇于庆伟
  • 2篇杜江峰
  • 1篇蒋苓利
  • 1篇向凡
  • 1篇杨旭
  • 1篇张萌
  • 1篇赵磊
  • 1篇刘新新
  • 1篇王卓

传媒

  • 2篇四川省电子学...
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇2013‘全...

年份

  • 2篇2013
  • 2篇2008
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
基于薄膜SOI工艺的PDP高压寻址驱动电路
基于自主开发的薄膜SOI CD高低压兼容工艺，成功研制一种64位输出、驱动电压80V、电流能力20mA、时钟频率大于40MHz的SOI基等离子显示板高压寻址电极驱动电路。
王卓刘新新乔明杨旭张萌郑小明
关键词：薄膜电路等离子显示板逻辑控制时钟频率
文献传递
一种单晶型100V LDMOS设计
本文设计了单晶型100V LDMOS，其具有导通屯阻低和耐压高的优点。文中利用RESURF技术和场板技术优化其关态特性和开态特性;在工艺设计中，采用与低压器件兼容的BCD工艺，完成了工艺参数的优化;最后设计器件的版图并进...
赵磊乔明蒋苓利向凡郑小明
关键词：导通电阻击穿电压
文献传递
Si/SiO_2界面的原子结构模型
2013年
理论计算已逐渐成为从原子尺度上研究Si/SiO2界面特性的必要手段,选择合适的Si/SiO2界面原子结构模型是准确计算Si/SiO2界面特性的前提。梳理比较了Si/SiO2界面特性研究方面目前主要的实验研究结果及其理论计算结果,介绍了Si/SiO2界面原子结构模型及其特点。并从Si衬底晶向、过渡区的组成与厚度以及电子特性方面,分析了这些模型的优缺点及其适用性。认为以亚氧化态Si作为过渡层的模型能更好地解释实验数据,并适用于界面结构特性和电子特性等的仿真计算。本研究对改进Si/SiO2原子结构模型、研究界面缺陷以及在原子尺度上分析界面缺陷对器件特性影响有着重要的意义。
杜龙欢荣丽梅杜江峰于庆伟郑小明
关键词：原子结构电子特性氧化硅过渡层
Si/SiO2界面的原子结构模型研究
理论计算已逐渐成为从原子尺度上研究Si/SiO2界面特性的必要手段,选择合适的Si/SiO2界面原子结构模型是准确计算Si/SiO2界面特性的前提.本文梳理比较了Si/SiO2界面特性研究方面目前主要的实验研究结果及其理...
杜龙欢荣丽梅杜江峰于庆伟郑小明
关键词：氧化硅原子结构电子特性
文献传递
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