李鹏飞
- 作品数：3 被引量：2H指数：1
- 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 基于CC2541的仿针刺手法的电针系统
- 2017年
- 现在电针设备普遍存在不便携、安全性能差、输出波形单一、缺乏科学性而且智能交互性差等缺点,对此结合无线传感网络技术,设计了一个基于CC2541的仿针刺手法的电针系统,并对该系统的系统框架、硬件、针刺手法模拟理论以及算法实现和系统软件实现方案进行了介绍。
- 李鹏飞张海英张俊李生辉
- 关键词：针刺手法硬件
- GaN基集成器件及其制作方法
- 本发明公开提供了一种GaN基集成器件及其制作方法，其GaN基集成器件自下而上顺次包括：衬底、缓冲层和感应层；感应层上顺次设置有GaN感应区、连接区和信号放大区，且电性相连；沟道底部延伸至感应层内，用于隔离GaN传感区、信...
- 康玄武李鹏飞刘新宇郑英奎
- 文献传递
- 氧等离子体表面处理对AlGaN/GaN HEMT欧姆接触的影响被引量：2
- 2021年
- 采用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀系统,研究了氧等离子体表面处理对AlGaN/GaN HEMT欧姆接触电阻的影响。利用能量色散X射线光谱仪、光致发光谱和原子力显微镜以及电学测试设备对处理前后样品进行表征分析。结果表明,在最佳的氧等离子体处理条件(ICP功率250 W,射频功率60 W,压强0.8 Pa,氧气流量30 cm^(3)/min,时间5 min)下,欧姆接触电阻为0.41Ω·mm,比参照样品接触电阻降低了约69%。分析认为经过氧等离子体处理后,在近表面处产生了一定数量的N空位缺陷,这些N空位表现为浅能级施主掺杂,有利于欧姆接触的形成。通过采用氧等离子体表面处理工艺制备的AlGaN/GaN HEMT,在+2 V的栅极偏压下获得了0.77 A/mm的最大漏极饱和电流。
- 李鹏飞李鹏飞魏淑华张静张静吴昊郑英奎
- 关键词：欧姆接触
