许望颖
- 作品数：2 被引量：5H指数：2
- 供职机构：深圳大学材料学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金广东省自然科学基金深圳市科技计划项目更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术理学更多>>
- Pd颗粒表面修饰ZnO纳米线阵列的制备及其气敏特性被引量：3
- 2017年
- 采用化学气相沉积(CVD)方法在SiO_2/Si衬底生长了ZnO纳米线阵列,纳米线长约为15μm,直径为100~500 nm。通过改变溅射沉积时间(0~150 s),在ZnO纳米线表面包覆了不同厚度的Pd薄膜。在Ar气氛中,经800℃高温退火后,制备出Pd颗粒表面修饰的ZnO纳米线阵列并对其进行了气敏测试。对于乙醇而言,所有传感器最佳工作温度均为280℃。溅射时间的增加(3~10 s)导致ZnO纳米线表面Pd纳米颗粒数量及尺寸增加,传感器响应值由2.0增至3.6。过长的溅射时间(30~150 s)将导致Pd颗粒尺寸急剧增大甚至形成连续膜,传感器响应度显著降低。所有传感器对H2均表现出相对较好的选择性,传感器具有较好的响应-恢复特性和稳定性。最后,探讨了Pd颗粒表面修饰对ZnO纳米线阵列气敏传感器气敏特性的影响机制。
- 杨志博曹培江韩舜刘新科柳文军贾芳曾玉祥许望颖朱德亮吕有明
- 关键词：气敏特性ZNO纳米线表面修饰
- 退火温度对ZnO薄膜晶体管电学性能的影响（英文）被引量：2
- 2019年
- 为研究退火温度(从室温到500℃)对ZnO薄膜和薄膜晶体管(thin-film transistor,TFT)电性能的影响,使用X射线衍射、扫描电子显微镜、原子力显微镜、X射线光电子能谱和光致发光等技术对ZnO-TFT进行表征。实验结果表明,具有400℃退火温度的ZnO-TFT表现出最佳性能,迁移率为2.7cm^2/Vs,阈值电压为4.6V,开/关电流比为5×10^5,亚阈值摆幅为0.98V/Dec。电性能的改善可归因于载流子浓度的降低,ZnO膜结晶的增强,以及氧化物半导体层和绝缘层之间界面的改善。
- 覃金牛温喜章冯武昌许望颖朱德亮曹培江柳文军韩舜刘新科方明曾玉祥吕有明
- 关键词：ZNO薄膜晶体管退火温度迁移率
