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胡一明

作品数:3 被引量:0H指数:0
供职机构:电子科技大学更多>>
发文基金:四川省科技计划项目四川省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:电气工程理学电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电气工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇电极材料
  • 1篇电池
  • 1篇电化学
  • 1篇电化学测试
  • 1篇电极
  • 1篇电解质
  • 1篇电容
  • 1篇电容器
  • 1篇电性能
  • 1篇多孔硅
  • 1篇形貌
  • 1篇形貌结构
  • 1篇氧化钴
  • 1篇钛酸锶
  • 1篇钛酸锶钡
  • 1篇钛酸锶钡薄膜
  • 1篇锂离子
  • 1篇锂离子电池
  • 1篇离子
  • 1篇离子电池

机构

  • 3篇电子科技大学

作者

  • 3篇胡一明
  • 2篇吴孟强
  • 1篇刘文龙
  • 1篇廖家轩
  • 1篇徐自强
  • 1篇王思哲
  • 1篇文浪
  • 1篇汪东霞
  • 1篇冯婷婷
  • 1篇巩峰
  • 1篇王振宇

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇电子元件与材...

年份

  • 1篇2017
  • 2篇2016
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
基于MnO2和石墨烯电极的超级电容器特性研究
超级电容器是一种介于传统电容器与二次电池之间的新型储能器件,具有充电时间快、功率密度高等众多优点,但能量密度却有待提高。电极材料是影响超级电容器性能的关键因素,从电极材料入手,提高能量密度有两种途径,一是提高电极材料的比...
胡一明
关键词:二氧化锰复合电极材料超级电容器形貌结构电化学测试
文献传递
锂离子电池中硅-氧化钴电极材料的研究
2016年
主要介绍了微米硅、多孔微米硅以及经修饰后的硅-氧化钴电极材料性能。以质量分数12%的氧化钴修饰多孔硅,首次与第二次放电电容量分别为3 590m Ah·g^(–1)和2 679m Ah·g^(–1),其放电电容量衰退率为25.4%。与没有修饰过的微米硅(2 281 m Ah·g^(–1)和555 m Ah·g^(–1))相比,效果明显提升,并且在之后的多次充放电中,也有很大提高。分析结果表明,微米多孔硅减缓了硅在充放电时的体积膨胀;被披覆氧化钴稳定了固态电解质层,进而提高了硅材料在锂离子电池中充放电循环稳定性。
汪东霞吴孟强文浪胡一明王振宇刘文龙
关键词:锂离子电池多孔硅电极材料固体电解质
铈镁交替掺杂Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3薄膜高调谐性能
2016年
根据Ce掺杂、Mg掺杂以及Y和Mn交替掺杂可分别使Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3(BST)薄膜的介电调谐率、介电损耗和综合介电性能提高、降低和提高的特点,采用改进的溶胶-凝胶(sol-gel)法制备了6层Ce和Mg交替掺杂BST薄膜,并研究其结构及介电性能.Ⅹ射线衍射表明,该薄膜为立方钙钛矿结构、主要沿(110)晶面生长、晶化明显增强.扫描电子显微镜表明,薄膜表面形貌极大改善,首层薄膜与基体良好匹配,Ce掺杂层为首层的交替掺杂薄膜表面更均匀致密、晶粒更细小、晶化略微减弱.Ⅹ射线光电子能谱表明,薄膜表面非钙钛矿结构显著减少.薄膜显示高调谐率和高优质因子.Mg掺杂层为首层的交替掺杂薄膜在高频范围的综合介电性能更稳定.Ce掺杂层为首层的交替掺杂薄膜在低频范围的介电强度更高,综合性能更突出,在100 kHz下,10,20和40 V偏压对应的调谐率分别为47.4%,63.6%和71.8%,对应的优质因子分别为27.1,77.5和86.5,可满足微波调谐应用.同时,就有关机理进行了分析.
胡一明廖家轩杨函于王思哲吴孟强徐自强冯婷婷巩峰
关键词:钛酸锶钡薄膜介电性能
共1页<1>
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