王创国
- 作品数：1 被引量：1H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 0.5μm栅长HfO_2栅介质的GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管被引量：1
- 2017年
- 为了抑制GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的栅极漏电,提出了一种0.5μm栅长的GaN金属氧化物半导体(MOS)高电子迁移率晶体管结构。该结构采用势垒层部分挖槽,并用高介电常数绝缘栅介质的金属氧化物半导体栅结构替代传统GaN HEMT中的肖特基栅。基于此结构制备出一种GaN MOSHEMT器件,势垒层总厚度为20nm,挖槽深度为15nm,栅介质采用高介电常数的HfO_2,器件栅长为0.5μm。对器件电流电压特性和射频特性的测试结果表明:所制备的GaN MOSHEMT器件最大电流线密度达到0.9 A/mm,开态源漏击穿电压达到75 V;与GaN HEMT器件相比,其栅极电流被大大压制,正向栅压摆幅可提高10倍以上,并达到与同栅长GaN HEMT相当的射频特性。
- 韩克锋王创国朱琳孔月婵
- 关键词：高电子迁移率晶体管栅电流射频特性
