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刘辉
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供职机构:
国家知识产权局
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合作作者
史敏娜
国家知识产权局
王小峰
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王小峰
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史敏娜
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2017
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ZnO/GaN异质结发光二极管光谱改善研究进展
2017年
ZnO缺陷发光及ZnO/GaN界面发光严重降低了n-ZnO/p-GaN发光二极管的性能。本文概述n-ZnO/p-GaN异质结的结构和发光存在的问题,详细介绍该方面的最新研究成果。通过引入界面层、利用量子限制效应等技术,使n-ZnO/p-GaN发光二极管的光谱质量和发光效率得到改善。
刘辉
史敏娜
王小峰
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界面层
量子限制效应
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