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王玉伟

作品数:3 被引量:8H指数:1
供职机构:西安交通大学更多>>
发文基金:陕西省科学技术研究发展计划项目国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信机械工程更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇机械工程
  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇低电压
  • 1篇低功耗
  • 1篇电压
  • 1篇亚阈值
  • 1篇氧化物
  • 1篇氧化物半导体
  • 1篇仪表行业
  • 1篇仪器
  • 1篇仪器仪表
  • 1篇仪器仪表行业
  • 1篇全金属
  • 1篇自动化
  • 1篇基准电压
  • 1篇基准电压源
  • 1篇功耗
  • 1篇半导体
  • 1篇CAD/CA...
  • 1篇CAD/CA...
  • 1篇H型
  • 1篇超低功耗

机构

  • 3篇西安交通大学

作者

  • 3篇王玉伟
  • 1篇张瑞智
  • 1篇叶军君
  • 1篇张子公
  • 1篇张鸿
  • 1篇王朝明
  • 1篇张娴如
  • 1篇顾为兵

传媒

  • 1篇模具工业
  • 1篇西安交通大学...

年份

  • 1篇2017
  • 1篇1990
  • 1篇1987
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
一种超低功耗的低电压全金属氧化物半导体基准电压源被引量:7
2017年
针对传统带隙基准电源电压高、功耗高和面积大的问题,提出了一种超低功耗的低电压全金属氧化物半导体(MOS)基准电压源。该基准源通过电压钳制使MOS管工作在深亚阈值区,利用亚阈值区MOS管的阈值电压差补偿热电势的温度特性,同时采用负反馈提高了电压源的线性度与电源抑制比。整个电压源电路采用SMIC 0.18μm互补金属氧化物半导体工艺设计,仿真结果表明:基准电压源的电源电压范围可达0.5~3.3V,线性调整率为0.428%V-1,功耗最低仅为0.41nW;在1.8V电源电压、-40~125℃温度范围内,温度系数为4.53×10-6℃-1,输出电压为230mV;1kHz下电源抑制比为-60dB,芯片版图面积为625μm2。该基准电压源可满足植入式医疗、可穿戴设备和物联网等系统对芯片的低压低功耗要求。
王玉伟张鸿张瑞智
关键词:基准电压源超低功耗低电压亚阈值
H型断面成形的数值模拟及实验研究
王玉伟
仪器仪表行业冲模CAD/CAM系统的研制被引量:1
1990年
一、引 言 仪器仪表行业的冲压件在产品零件中占很大比例,零件又多属中批量、多品种,更新快,开发CAD/CAM的意义很大。 仪表零件以弯曲件为主,其工艺大多是坯料冲裁和弯曲分别进行。冲裁件以复合模和级进模为主,工艺性一般(不需切废料。
王朝明顾为兵张士杰王玉伟叶军君张娴如张子公
关键词:自动化CAD/CAM系统冲压
共1页<1>
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