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叶伟

作品数:13 被引量:10H指数:2
供职机构:陕西理工大学机械工程学院更多>>
发文基金:陕西省教育厅科研计划项目国家自然科学基金陕西省教育厅省级重点实验室科研与建设计划项目更多>>
相关领域:电子电信航空宇航科学技术理学更多>>

文献类型

  • 13篇中文期刊文章

领域

  • 9篇电子电信
  • 3篇航空宇航科学...
  • 1篇理学

主题

  • 6篇探测器
  • 5篇红外
  • 5篇红外探测
  • 5篇红外探测器
  • 3篇增层
  • 3篇火箭
  • 3篇固体火箭
  • 3篇AS
  • 2篇电场
  • 2篇电场分布
  • 2篇雪崩
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  • 2篇探测率
  • 2篇绝缘层
  • 2篇火箭发动机
  • 2篇溅射
  • 2篇固体火箭发动...
  • 2篇暗电流
  • 2篇APD
  • 2篇INSB

机构

  • 13篇陕西理工大学
  • 1篇扬州市职业大...
  • 1篇机电部

作者

  • 13篇叶伟
  • 5篇崔立堃
  • 2篇张琦
  • 1篇方小坤
  • 1篇刘佳
  • 1篇王旭飞
  • 1篇常红梅

传媒

  • 2篇电子学报
  • 2篇应用光学
  • 2篇激光与红外
  • 2篇兵器装备工程...
  • 1篇激光与光电子...
  • 1篇光学学报
  • 1篇电镀与涂饰
  • 1篇战术导弹技术
  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2023
  • 5篇2022
  • 2篇2021
  • 2篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2017
13 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
I型倍增层对异质SAM结构InSb-APD红外探测器性能的影响
2024年
红外探测器的光电特性会受到内部结构倍增层参数的影响,为了能够改善器件的雪崩效应,借助仿真软件Silvaco-TCAD,详细探讨了I型倍增层的残余掺杂浓度和厚度对异质SAM结构InSb-APD红外探测器性能的影响。研究结果表明,随着I型倍增层掺杂浓度的增加,其倍增层内的电场强度峰值增加,同时光响应度略微增加;随着I型倍增层厚度的增加,其倍增层的光响应度与暗电流密度升高,同时电场强度峰值减少。进一步研究表明,当I型倍增层残余掺杂浓度和厚度分别为1×10^(15)cm^(−3)和3μm时,有利于雪崩过程。
方小坤叶伟权贝贝朱朝阳萧生
关键词:INSB
In_(0.83)Al_(0.17)As倍增层对In_(0.83)Ga_(0.17)As/GaAs雪崩光电探测器的特性影响被引量:1
2023年
倍增层对雪崩光电探测器内部载流子的碰撞电离至关重要,因此,采用三元化合物In_(0.83)Al_(0.17)As作为倍增层材料,借助器件仿真工具Silvaco-TCAD,详细探究了In_(0.83)Ga_(0.17)As/GaAs雪崩光电探测器的倍增层厚度及掺杂浓度对其内部电场强度、电流特性和电容特性的影响规律。研究表明,随着倍增层厚度的增加,器件的电场强度和电容呈减小趋势。同时,倍增层掺杂浓度的增大会引起电容和倍增层内的电场强度峰值增加。进一步研究发现,随着倍增层厚度的增加,器件的穿通电压线性增大,击穿电压先减小后增大,但倍增层掺杂浓度的增加会引起器件击穿电压的减小。此外,用电场分布和倍增因子的结合解释了器件穿通电压与击穿电压的变化。
叶伟杜鹏飞权贝贝李梦飞萧生刘佳
关键词:探测器雪崩光电探测器电场分布
Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7栅绝缘层的SiO2修饰对ZnO-TFTs性能的影响
2019年
具有高介电常数的栅绝缘层材料存在某种极化及耦合作用,使得ZnO-TFTs具有高的界面费米能级钉扎效应、大的电容耦合效应和低的载流子迁移率.为了解决这些问题,本文提出了一种使用SiO 2 修饰的Bi 1.5 Zn 1.0 Nb 1.5 O 7 作为栅绝缘层的ZnO-TFTs结构,分析了SiO 2 修饰对栅绝缘层和ZnO-TFTs性能的影响.结果表明,使用SiO 2 修饰后,栅绝缘层和ZnO-TFTs的性能得到显著提高,使得ZnO-TFTs在下一代显示领域中具有非常广泛的应用前景.栅绝缘层的漏电流密度从4.5×10^-5 A/cm^2 降低到7.7×10^-7 A/cm^2 ,粗糙度从4.52nm降低到3.74nm,ZnO-TFTs的亚阈值摆幅从10V/dec降低到2.81V/dec,界面态密度从8×10^13 cm^-2 降低到9×10 12 cm^-2 ,迁移率从0.001cm^2 /(V·s)升高到0.159cm^2 /(V·s).
叶伟崔立堃常红梅
关键词:SIO2薄膜射频磁控溅射
固体火箭发动机熄火时喷管-扩压器系统流场数值计算
2019年
针对火箭发动机进行高模试车会产生'回火'的问题,采用二维非定常流场仿真方法对发动机熄火过程中高空舱、喷管和扩压器内的流动状态及流场结构进行了深入研究。结果表明:在发动机熄火过程中,在扩压器中形成的激波串逐渐向扩压器入口方向移动,壁面分离越来越明显,喷管由满流状态变成流动分离状态;高空舱内存在低速流动的漩涡结构,开始时只存在三个比较大的漩涡,在扩压器空气入口前形成了一个较小的漩涡,该漩涡随着燃烧室压强的下降逐渐增强增大;从扩压器空气入口进入的空气质量流率随熄火时间先增加而后减小,喷管喷出的高温燃气从空气入口处冲出,扩散至喷管外壳前端甚至更远。
崔立堃叶伟
关键词:固体火箭发动机熄火喷管扩压器
退火温度对基于Bi_(1.5)Zn_(1.05)Nb_(1.5)O_(7)栅绝缘层的ZnO-TFTs性能的影响
2022年
具有高介电常数的Bi_(1.5)Zn_(1.05)Nb_(1.5)O_(7)薄膜存在氧空位和陷阱缺陷,因此,使用Bi_(1.5)Zn_(1.05)Nb_(1.5)O_(7)作为栅绝缘层的ZnO-TFTs具有高的界面费米能级钉扎效应和低的电学性能.为了解决这些问题,提高器件性能,本文采用射频磁控溅射制备了以Bi_(1.5)Zn_(1.05)Nb_(1.5)O_(7)为栅绝缘层的ZnO-TFTs,同时,详细研究了300℃、400℃、500℃和600℃等退火温度对ZnO-TFTs性能的影响,研究结果表明,随着退火温度的升高,Bi_(1.5)Zn_(1.05)Nb_(1.5)O_(7)栅绝缘层和ZnO-TFTs的性能先升高后降低,在退火温度为500℃时,Bi_(1.5)Zn_(1.05)Nb_(1.5)O_(7)栅绝缘层和ZnO-TFTs的性能都得到了显著提高,电容密度从165 nF/cm^(2)升高到222 nF/cm^(2),开关比从103升高到105.
张琦叶伟孙芳莉萧生杜鹏飞
关键词:退火温度
固冲发动机补燃室化学非平衡流数值模拟被引量:1
2021年
基于流体动力学基本控制方程和基元反应动力学的基本原理,采用含镁铝成分的多组分化学反应方程,在Fluent软件平台上对某型固体火箭冲压发动机补燃室中的化学非平衡流进行了数值模拟,分析了补燃室的流场结构,得到了H_(2)O、Mg和Al沿补燃室轴线的质量分数分布。结果表明,补燃室内压力分布较为均衡,温度分布极不均匀,流动极为复杂;燃料从喷嘴喷入后,随着反应的进行,Al、Mg逐渐消耗,其质量分数逐渐减小,直至为零,而H_(2)O的含量随着反应的进行逐渐增加,整体分布趋势与采用平衡流无限反应速率下的结果基本一致。
崔立堃杜明明叶伟
关键词:固体火箭冲压发动机补燃室非平衡流计算流体力学
固体火箭发动机羽流场波系结构及特性数值计算被引量:4
2018年
考虑发动机燃烧产物的具体组分,对不同飞行参数条件,纯气相作用下的发动机羽流场进行了数值计算,分析了羽流场的结构和特性。结果表明:随着飞行马赫数的增加,燃气在喷管后方羽流区域形成的膨胀-压缩波系个数逐渐减少,波系的膨胀半径越来越小;随着飞行高度的增加,羽流区域形成的膨胀-压缩波系个数逐渐减少,波系的膨胀半径越来越大;随着攻角的加大,羽流场膨胀-压缩波系偏离轴线上扬,不再具有轴对称性,羽流区域形成的膨胀-压缩波系的膨胀半径、长度逐渐减小。
崔立堃叶伟
关键词:固体火箭发动机羽流场
深度等离子体反应刻蚀技术制备擒纵机构
2017年
采用磁控溅射法在单晶硅基片上制备铝膜,并结合光刻技术将擒纵机构图形转移到铝膜。利用铝膜不与刻蚀气体反应的特性,将其取代光刻胶作为深度等离子体反应刻蚀制备擒纵机构时硅基片的掩蔽层,并且采用干氧的方法在擒纵机构表面生成一层SiO2薄膜。详细研究了深度等离子体反应刻蚀的刻蚀宽度对擒纵机构的影响,并对擒纵机构表面进行了详细的SEM分析和EDS能谱分析。研究结果表明,采用铝膜作为掩蔽层能够对擒纵机构的表面和断面起到很好的保护作用,擒纵机构获得优良的表面质量,且在刻蚀窗口宽度为75μm时,获得最优的擒纵机构零件。
叶伟崔立堃王旭飞方坤
关键词:单晶硅擒纵机构微机械加工光刻
基于COMSOL的圆平面磁控溅射靶的磁场研究被引量:1
2022年
为了提高靶面水平磁感应强度的均匀性,设计了一种内外永久磁铁以“内圆外方,外围圆”的方式排布的圆平面磁控溅射靶阴极结构,并利用COMSOL软件对其磁场进行仿真模拟,再通过实验测量进行验证。实验验证的结果和仿真模拟的结果基本一致。圆平面磁场分布均匀,并且满足溅射磁感应强度为20~50 mT的基本要求,靶材利用率可达40%~50%,而且散热能力得到一定程度的提高。
李梦飞叶伟杜鹏飞
关键词:磁控溅射磁场分布有限元分析仿真
高温下In_(0.83)Al_(0.17)As/In_(0.83)Ga_(0.17)As红外探测器特性分析
2022年
非冷却热探测器的性能在光谱检测应用中仍需要提高。为了降低热噪声和减小暗电流,实现器件的高温工作性能,本文通过将器件的倍增层和吸收层分离设计后,选用InAlAs作为倍增层材料,利用仿真软件Silvaco-TCAD,详细探究了不同温度对器件暗电流和光响应度的影响规律。结果表明,在高温160~300 K范围内,随着温度的升高,器件的暗电流增大,光响应度呈现先增大后减小的变化。利用公式进一步计算出,-500 mV和300 K时,器件的暗电流密度为0.485 A/cm^(2),1.5μm处的峰值响应度为1.818 A/W,零偏置微分电阻面积为0.053Ω·cm^(2),比探测率为3.26×10^(9) cm·Hz·W。
杜鹏飞叶伟
关键词:红外探测光响应
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