吴琴
- 作品数：5 被引量：4H指数：2
- 供职机构：工业和信息化部电子第五研究所更多>>
- 相关领域：理学电子电信机械工程化学工程更多>>
- X射线照射对半导体分立器件的影响分析被引量：2
- 2022年
- X射线照射作为一种常见的无损检测手段,在通讯设备制造行业中有着广泛的应用,并给相关从业人员在判别电子元器件常见的裂纹、空洞、异物、内部位移和焊接桥联等内部缺陷时提供了简单、快速而又高效的帮助。但是,X射线在检测产品的过程中,同样会对半导体器件的性能产生一定的影响。因此,对X射线照射对贴片式红绿发光二极管、NPN三极管和N沟道功率MOS管3种分立器件的影响进行了分析。模拟常规的X射线检测过程,用80~110 kV、40~60μA的X射线对二极管、三极管和MOS管进行了照射,测试了3种产品在照射前后关键电参数的数值变化,并对给出的实验结果进行初步的分析讨论。结果表明:X射线照射不会对二极管和三级管产生影响,但会对MOS管产生负面影响。最后,结合实验数据,给出了X射线照射参数设置的建议,具有一定的参考价值。
- 石樊帆毛磊王清洲吴琴朱炜容
- 关键词：X射线正向电压反向电压阈值电压
- Chiplet与通用芯粒互联标准调研及测评难点分析
- 2024年
- 芯粒(Chiplet)是延续摩尔定律最有前景的技术途径之一,其涉及到多种异构小芯片的集成与封装,制定行业规范和标准并研究测评技术是其发展的必要条件。从产业发展、技术演进等方面出发,通过调研Chiplet和通用芯粒互联标准1.0版本(UCIe 1.0)的发展现状和主要内容,分析Chiplet及UCIe标准的技术特点和优势,从可测试性、封装复杂性和信息安全等几个方面讨论了UCIe框架下的Chiplet可靠性测试的关键问题和难点。研究结果可对UCIe标准的进一步推广应用提供参考,同时为其测评技术的发展奠定基础。
- 李元晟吴琴罗军常胜常胜
- 超声萃取/HPLC-MS检测电子电气产品聚合物中的六溴环十二烷被引量：2
- 2017年
- 通过优化超声萃取时间、萃取次数、萃取溶剂类型等条件,建立了电子电气产品中六溴环十二烷(含α,β,γ3种同分异构体)的高效液相色谱-质谱(HPLC-MS)测定方法。经条件优化,采用甲苯超声萃取样品,重复萃取3次,每次15 min,离心取上清液,合并后经氮气吹干,用甲醇-水溶液重新溶解定容后进行检测。六溴环十二烷各同分异构体的线性范围为50~5 000μg/L,线性相关系数均大于0.999,方法检出限为1 mg/kg,样品加标回收率为88.3%~104.5%。该方法快速、简便、准确、稳定,用于实际样品的检测,阳性样品均为发泡聚苯乙烯材料。
- 陈琼黄秋鑫姜涛丑天姝方亮吴琴
- 关键词：电子电气产品六溴环十二烷超声萃取高效液相色谱-质谱法
- 服务器供应链成熟度模型研究
- 2024年
- 当前,全球供应链稳定体系遭受冲击,不稳定性和不确定性不断加大,供应链韧性和稳定受到世界各国关注。服务器作为重要的信息基础设施,其供应链稳定对我国经济社会发展意义重大。目前国内缺乏对于服务器供应链稳定性研究的相关模型,导致用户不知如何选择供应链更加安全稳定的服务器。因此有必要构建一个科学有效的服务器供应链成熟度评估模型,为用户选型提供参考,为行业主管部门开展供应链风险防范提供数字化手段和依据。
- 王宇胡宁余昭杰吴琴
- 关键词：服务器供应链成熟度
- MOS管X射线照射损伤的恢复研究
- 2023年
- 在通讯设备制造行业中,X射线作为一种无损检测技术有着广泛的应用,相关从业者可通过X射线检测来判别电子元器件中是否存在裂纹、空洞、异物、内部位移和焊接桥联等内部缺陷。但是在实际生产测试中发现,X射线照射也会对半导体器件的性能产生一定的负面影响。研究了X射线照射对MOS管的照射损伤,并探究了不同温度下退火对X射线照射损伤的恢复程度。模拟了严苛条件下的X射线照射过程,用110 kV、60μA的X射线对MOS管进行长时间的照射,测试其在照射前后阈值电压的数值变化;在25~220℃下对其进行退火实验并测试退火后其阈值电压的数值变化,证明了200℃及以上是有效的退火温度,并对实验结果进行初步的分析讨论。
- 石樊帆毛磊王清洲吴琴韦祥杨朱炜容
- 关键词：X射线阈值电压退火
