杨琦
- 作品数：13 被引量：4H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 势垒层注入氢离子的AlGaN/GaN LDD-HEMT设计与仿真
- 2018年
- 普通结构AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件受漏极高压影响,器件沟道内的电场线在栅电极附近不断汇聚,最终导致AlGaN/GaN HEMT器件提前击穿。为了提高AlGaN/GaN HEMT器件的耐电压能力和沟道电场均匀性,先建立漏极离子轻掺杂(LDD)结构的AlGaN/GaN HEMT模型,在势垒层中引入带负电荷的氟离子会降低沟道内的正极化电荷,形成类似于"栅场板"结构,以增加导通电阻为代价降低栅电极附近沟道内电场峰值。之后在漏极附近势垒层进行氢离子注入,来补偿LDD结构输出特性的损失,并进一步均匀沟道电场分布,提高AlGaN/GaN HEMT器件的耐压特性。最终设计的AlGaN/GaN HEMT器件导通电阻为0. 766 mΩ·cm2,击穿电压为1 176 V。
- 杨鹏杨琦刘帅
- 自偏置结构、可变电流放大器及电子装置
- 本发明提供一种自偏置结构、可变电流放大器及电子装置，其中，自偏置结构包括旁路电容、插入源电阻、多个焊盘和多个片外电阻器；旁路电容的一端与接地孔连接，另一端用于与晶体管的源极连接；插入源电阻的一端与接地孔连接；多个焊盘至少...
- 任健崔亮王磊杨琦戴剑陈南庭宋学峰郝俊祥王海龙刘飞飞杨楠冯晗琛成立鑫张忠山杨旭达曾雁声吴浩洋王学孟赵广营
- 一种限幅低噪声放大器芯片结构
- 本申请公开了一种限幅低噪声放大器芯片结构，涉及半导体技术领域。其中，上述限幅低噪声放大器芯片结构包括：限幅器芯片、位于限幅器芯片上表面的屏蔽芯片，以及位于屏蔽芯片上表面的低噪声放大器芯片；屏蔽芯片的下表面与限幅器芯片的上...
- 任健刘帅白银超戴剑王磊赵瑞华潘海波崔亮刘飞飞杨琦杨丹丹谷腾飞李佩姿
- 文献传递
- 一种GaN射频前端电路、TR组件及其制备方法
- 本发明提供一种GaN射频前端电路、TR组件及其制备方法。该电路包括：收发端口、发射支路和接收支路。第一GaN功率开关管的源极连接在发射支路的输出端与GaN功率放大器的输出端之间，漏极接地。在GaN功率放大器的输出端设有串...
- 陈然刘帅赵瑞华戴剑崔亮梁廷敬宋学峰王凯陈南庭王海龙杨琦成立鑫王晟王飞
- 一种射频前端芯片结构
- 本申请公开了一种射频前端芯片结构，涉及半导体技术领域。其中，上述射频前端芯片结构包括：功放开关芯片、位于功放开关芯片上表面的屏蔽芯片，以及位于屏蔽芯片上表面的限幅低噪声放大器芯片；屏蔽芯片的下表面与功放开关芯片的上表面电...
- 杨琦刘帅白银超要志宏王磊李丰王凯崔亮郭丰强王海龙杨楠陈南庭杜晨浩刘星
- 文献传递
- 宽带模拟预失真线性化器
- 本发明提供一种宽带模拟预失真线性化器。该宽带模拟预失真线性化器包括：输入90°耦合器、线性支路、非线性支路、输出90°耦合器以及支路控制模块；输入90°耦合器的第一端作为宽带模拟预失真线性化器的信号输入端，直通端连接线性...
- 崔亮王磊曾雁声杨琦戴剑陈南庭宋学峰郝俊祥王海龙兰斌杨楠任健冯晗琛成立鑫张忠山杨旭达吴浩洋
- 电流复用低噪声放大器及集成电路
- 本申请适用于半导体技术领域，提供了一种电流复用低噪声放大器及集成电路。该电流复用低噪声放大器包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第一偏置电路、第二偏置电路、电流复用电路、输入匹配电路、第一级间匹配电路、第二级间匹配...
- 杨楠刘飞飞戴剑崔亮王磊宋学峰杨琦陈南庭王凯王海龙任健俊祥曾雁声晗琛成立鑫张忠山
- 0.1 GHz~18 GHz单电源宽带低噪声放大器被引量：2
- 2022年
- 基于GaAs增强型pHEMT工艺,设计了一款单电源供电、工作频率覆盖0.1 GHz~18 GHz单片集成宽带低噪声放大器芯片。在同一芯片上集成分布式低噪声放大器和有源偏置电路,通过有源偏置电路为分布式放大器提供栅压实现放大器单电源供电。在片测试结果表明,放大器在+5 V工作电压下,工作电流60 mA,在0.1 GHz~18 GHz工作频段范围内实现小信号增益18 dB,输出P1 dB(1 dB压缩点输出功率)典型值12 dBm,噪声系数典型值2.5 dB。放大器的芯片尺寸为2.4 mm×1.0 mm×0.07 mm。
- 杨楠杨琦刘鹏
- 关键词：单电源分布式放大器
- 10～18GHz GaAs MMIC低噪声放大器设计被引量：2
- 2017年
- 本文研制了一款10~18GHz低噪声放大器芯片,该放大器采用90nm GaAs工艺。放大器采用三级共用电流单电源拓扑,第一级采用源电感匹配,在确保输入端口驻波比的同时使放大器噪声系数最小;第三级采用电阻负反馈拓扑,在保证增益平坦度、输出端口驻波比与输出功率的前提下,尽量降低LNA的噪声系数。在片测试表明,在+5V漏电压工作环境下,放大器静态电流为25mA,增益为24.5dB,增益平坦度为±1dB,噪声系数为1.1dB,1dB增益压缩点输出功率大于9dBm,包含射频GSG与直流偏置压点的芯片尺寸为1.4×0.8mm^2。
- 刘福海鲁丽丽杨琦
- 关键词：低噪放砷化镓负反馈噪声系数
- 双频低噪声放大电路
- 本发明提供一种双频低噪声放大电路。该双频低噪声放大电路包括：第一放大支路以及第二放大支路；第一放大支路与第二放大支路并联连接；第一放大支路的输入端与第二放大支路的输入端作为双频低噪声放大电路的输入端；第一放大支路的输出端...
- 刘飞飞任健郝俊祥戴剑崔亮王磊宋学峰杨琦陈南庭王海龙杨楠曾雁声冯晗琛成立鑫张忠山杨旭达吴浩洋
