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罗震

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：西南科技大学信息工程学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金四川省教育厅资助科研项目更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇噪声
  • 1篇噪声模型
  • 1篇频段
  • 1篇漏极
  • 1篇毫米波
  • 1篇毫米波频段
  • 1篇MOSFET

机构

  • 1篇西南科技大学

作者

  • 1篇王军
  • 1篇罗震

传媒

  • 1篇强激光与粒子...

年份

  • 1篇2017
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
毫米波频段下MOSFET漏极电流噪声的统一模型
2017年
纳米级金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)精确的高频噪声模型是毫米波集成电路低功耗设计的重要基础,而现有的高频漏极噪声模型不仅没有融合器件的衬底效应和栅电阻效应,也没有充分考虑器件的频率和偏置依赖性。针对上述问题,基于纳米MOSFET器件的物理特性,并结合漂移扩散方程和有效栅极过载,建立统一表征强反区到弱反区的频率和偏置依赖性的漏极噪声模型,使之便于移植到先进设计系统(ADS)仿真设计。通过所建模型的仿真结果与实验测试结果进行比较,验证所建模型的准确性。同时比较所建模型对130nm和40nm MOSFET两种不同工艺器件的实用性,验证其对表征40nm MOSFET的毫米波噪声特性的优越性。
罗震王军
关键词：毫米波噪声模型
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