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刘卫兵
作品数:
48
被引量:4
H指数:1
供职机构:
中国科学院微电子研究所
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发文基金:
国家自然科学基金
国家高技术研究发展计划
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相关领域:
电子电信
一般工业技术
自动化与计算机技术
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合作作者
高建峰
中国科学院微电子研究所
李俊峰
中国科学院微电子研究所
李俊杰
中国科学院微电子研究所
杨涛
中国科学院微电子研究所
明安杰
中国科学院微电子研究所
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刘卫兵
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高建峰
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堆叠纳米片环栅晶体管及其制备方法
本发明提供一种堆叠纳米片环栅晶体管及其制备方法,具体包括:提供衬底,衬底的一侧具有支撑部,在支撑部上具有交替层叠的牺牲层和沟道层,支撑部、牺牲层和沟道层构成鳍片;形成跨鳍片的假栅,并在假栅两侧形成侧墙;对鳍片进行刻蚀,形...
高建峰
刘卫兵
周娜
李俊杰
杨涛
李俊峰
罗军
一种钽掩模的制备方法
本发明公开了一种钽掩模的制备方法,属于微电子制造技术领域,解决了现有技术中制备65nm或更小尺寸的MTJ单元需要配合较薄的钽硬掩模层,但钽膜层需要有足够的厚度来完成MTJ的完全刻蚀的矛盾,以及实际MTJ尺寸大于光刻尺寸的...
高建峰
李俊杰
刘卫兵
李俊峰
王文武
文献传递
一种STT-MRAM存储器单元及其制备方法
本发明公开了一种STT‑MRAM存储器单元及其制备方法,属于微电子制造技术领域,解决现有技术中磁性隧道结TMR(隧穿磁阻)低、MTJ刻蚀过程对STT‑MRAM的TMR性能影响大的问题。本发明的STT‑MRAM存储器单元,...
高建峰
刘卫兵
李俊杰
李俊峰
王文武
一种存储器件及其制作方法、存储器及电子设备
本发明公开一种存储器件及其制作方法、存储器及电子设备,涉及非易失性存储器件技术领域,以便于存储器件与CMOS后段工艺兼容,提高存储器件性能。所述存储器件包括形成在衬底上的阻变元件。阻变元件包括底电极,顶电极,以及位于底电...
高建峰
刘卫兵
项金娟
杨涛
李俊峰
王文武
正方形氧化硅纳米孔的制备方法
本发明提供了一种正方形氧化硅纳米孔的制备方法,包括S1,提供一衬底晶圆,在衬底晶圆的表面形成SiO<Sub>2</Sub>介质层;S2,在SiO<Sub>2</Sub>介质层表面依次旋涂SOC和SiBarc,分别形成SO...
高建峰
刘卫兵
周娜
李俊杰
杨涛
贺晓彬
李俊峰
罗军
位线两侧气隙及半导体结构的制造方法
本申请涉及半导体制造领域,具体公开了一种位线两侧气隙及半导体装置的制造方法,包括以下步骤:在半导体衬底上形成多条位线;在每条位线的两侧形成上部开口的气隙;采用物理气相沉积工艺形成盖帽层,以封闭所述上部开口。本申请采用台阶...
高建峰
刘卫兵
杨涛
李俊峰
文献传递
悬浮结构的MEMS红外光源
本实用新型公开一种悬浮结构的MEMS红外光源。所述悬浮结构的MEMS红外光源包括薄膜悬浮结构及所述悬浮结构上的红外光源结构;所述薄膜悬浮结构为图形化的支撑层,所述支撑层为沉积在承载衬底上的凹弧状的四梁固支结构;所述红外光...
明安杰
刘卫兵
任耀辉
毛海央
谭秋林
王玮冰
熊继军
陈大鹏
文献传递
集成高辐射率纳米结构的MEMS红外光源研究
微机电系统(Micro-Electro-Mechanical System,MEMS)红外光源基于热辐射原理,具有体积小、功耗低、调制频率高、波长范围宽、寿命长等特点。随着纳米技术及纳米结构与传感器的集成逐渐成为关注的热...
刘卫兵
关键词:
微机电系统
红外光源
辐射率
红外光谱
调制特性
文献传递
衬底键合方法、三维集成基板及电路、电子设备和芯片
本发明公开一种衬底键合方法、三维集成基板及电路、电子设备和芯片,涉及集成电路技术领域,用于提高基板与衬底的键合强度。该衬底键合方法包括:提供一基板;基板具有至少一层半导体器件以及覆盖至少一层半导体器件的介电层;对基板所具...
高建峰
刘卫兵
李俊杰
杨涛
殷华湘
李俊峰
王文武
一种半导体器件及其制造方法
本申请实施例提供了一种半导体器件及其制造方法,提供衬底,衬底表面绝缘,在衬底上可以形成碳基膜层及其上的栅介质层,碳基膜层的两端为源漏区,中部为栅极区,在栅介质层上的栅极区形成栅结构层以及栅结构层侧壁的侧墙,去除源漏区的栅...
高建峰
刘卫兵
项金娟
李俊杰
周娜
杨涛
李俊峰
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