周朋
- 作品数：31 被引量：30H指数：3
- 供职机构：华北光电技术研究所更多>>
- 发文基金：国家留学基金四川省教育厅自然科学科研项目更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术电气工程更多>>
- InAs/GaSb Ⅱ类超晶格电学性能研究被引量：2
- 2019年
- 为了提高InAs/GaSb超晶格探测器性能和工作温度,研究了超晶格吸收层载流子输运性能。利用分子束外延在半绝缘GaAs衬底上生长InAs/GaSb超晶格材料,用霍尔测试表征材料电学性能,研究了不同条件,包括退火、束流比和在超晶格不同材料层的掺杂对超晶格电学性能的影响。
- 邢伟荣刘铭周朋周立庆
- 关键词：INAS/GASB电学性能
- 长/长波双色二类超晶格红外探测器研究
- 2023年
- 报道了长/长波双色二类超晶格红外焦平面探测器组件的研制。通过能带结构设计和分子束外延技术,获得了表面质量良好的长/长波双色超晶格外延材料。突破了长波超晶格低暗电流钝化、低损伤干法刻蚀等关键技术,制备出像元中心距30μm的320×256长/长波双色InAs/GaSb超晶格焦平面探测器芯片。将芯片与双色读出电路互连,采用杜瓦封装,与制冷机耦合形成探测器组件。组件双波段50%后截止波长分别为7.7μm(波段1)和10.0μm(波段2)。波段1平均峰值探测率达到8.21×10^(10)cm·W^(-1)·Hz^(1/2),NETD实现28.8 mK;波段2平均峰值探测率达到6.15×10^(10)cm·W^(-1)·Hz^(1/2),NETD为37.8 mK,获得了清晰的成像效果,实现长/长波双色探测。
- 刘铭游聪娅李景峰常发冉温涛李农周朋程雨王国伟
- 关键词：焦平面阵列
- Sb基nBn型红外探测器发展现状被引量：2
- 2017年
- nBn结构红外探测器具有可消除SRH产生-复合电流和表面复合电流,实现高温工作等优点,从提出就备受全球多个研究机构青睐,并已经得到组件验证。锑基nBn结构红外探测器发展尤其迅速,已经在技术上得到突破,部分产品已经获得应用,红外探测器组件最高工作温度达150 K以上。本文从nBn结构锑基红外探测器工作原理、结构优势和国外发展现状等方面对该研究方向进行了综述报道,为高工作温度、高性能红外焦平面探测器发展提供了较好方向。
- 刘铭闻娟周朋周立庆
- 关键词：红外探测器暗电流
- 基于光致发光谱的窄禁带半导体材料能级研究被引量：1
- 2020年
- 材料能带以及缺陷能级状态是窄禁带半导体材料芯片制造过程中的重要参数。红外调制光致发光(Photoluminescence,PL)光谱仪是一种无损的有效检测技术。利用该技术对不同的窄禁带半导体材料进行了检测,然后用线型拟合光谱揭示了不同能级间的电子跃迁,并对结果进行了分析。结果表明,红外调制PL光谱是一种有效的材料能带和缺陷能级研究方法。
- 申晨李乾周朋杨海燕
- 关键词：能级跃迁
- 抑制In元素在CdTe中的退火扩散
- 2020年
- 分子束外延HgCdTe/InSb材料需要阻止In元素在HgCdTe中的不受控扩散。我们使用CdTe缓冲层作为阻挡层,以期控制In的扩散。为研究In元素在CdTe材料中的扩散,我们使用分子束外延方法获得CdTe/InSb样品。考虑到在退火时In元素可能通过环境扩散污染材料,我们使用SiO2作为钝化层,通过对比试验发现In元素通过环境扩散污染表面的证据,为控制In元素的扩散提供新的思路。
- 王丛王文燕周朋赵超段建春周立庆
- 关键词：INSBCDTE钝化层
- nBn型InSb红外器件性能仿真
- 2018年
- 从能带结构方面分析了InSb nBn结构的势垒层,并使用Sentaurus TCAD软件计算并模拟了改进前后的器件Ⅳ性能,仿真结果表明,在势垒层靠近吸收层一侧加入渐变层可以有效改进器件性能。之后模拟仿真了势垒层Al组分、厚度对器件性能的影响。最后根据仿真结果选定结构参数进行实际分子束外延生长,并给出初步的器件结果。
- 周朋刘铭邢伟荣
- 关键词：NBNINSBTCAD
- 高质量InSb薄膜的MBE同质和异质外延生长被引量：2
- 2018年
- InSb是3~5μm中波红外波段具有重要研究意义的材料。本文以单位内部生产的InSb(100)衬底为基础,通过摸索InSb(100)衬底的脱氧、生长温度和Ⅴ/Ⅲ束流比,获得了高质量的InSb同质外延样品,1.5μm样品的表面粗糙度RMS≈0.3 nm(10μm×10μm),FWHM≈7 arcsec;采用相同的生长温度和Ⅴ/Ⅲ束流比并采用原子层外延缓冲层的方法在GaAs(100)衬底上异质外延生长本征InSb层,获得了较高质量的异质外延InSb样品,1.5μm样品的室温电子迁移率高达6.06×10~4cm^2V^(-1)s^(-1),3μm的样品最好的FWHM低至126 arcsec。InSb材料的同质和异质外延优化生长可为高温工作掺Al的InSb器件结构的优化生长提供重要参考依据。
- 尚林涛周翠沈宝玉周朋刘铭强宇王彬
- 关键词：INSB分子束外延
- 高Al组分In_(1-x)Al_x Sb/InSb的MBE生长研究被引量：1
- 2016年
- 高Al（10%~15%）组分的In_（1-x）Al_xSb层可作为势垒层以抑制隧穿暗电流、提高器件工作温度而显得很重要。采用分子束外延的方法对InSb（100）衬底高Al组分的In_（1-x）Al_xSb/InSb外延生长进行了实验探索,确定出了Al组分（约12.5%）并讨论了Al组分梯度递变的In_（1-x）Al_xSb缓冲层和生长温度对外延薄膜质量的影响。
- 尚林涛刘铭周朋邢伟荣沈宝玉
- 关键词：高铝薄膜生长
- 石墨烯基碲镉汞复合材料技术研究被引量：1
- 2018年
- 随着红外技术的发展,未来红外探测器向着mK或亚mK灵敏度红外探测系统方面发展,传统探测器已经很难满足需求,光电探测器的响应度亟待提高。主要基于石墨烯材料的独特能带结构、超高载流子迁移率、超宽光谱吸收的特性,结合碲镉汞光电探测材料的极高量子效率性能,研究了具有极高红外辐射响应度、超宽光谱响应范围的新一代石墨烯基复合红外探测材料。
- 刘铭杜云章周朋陈慧卿喻松林周立庆游聪雅张永哲
- 关键词：石墨烯碲镉汞复合材料
- 基于MBE替代硅衬底的材料综述
- 2020年
- 主要介绍了几种用MBE技术生长HgCdTe/CdTe的Si衬底的替代性衬底材料的基本参数,以及不同材料的最新生长过程及结果,和对它们的生长结果的比较分析,以此来选择较为适合替代Si衬底来生长HgCdTe/CdTe的衬底。本文通过一系列的对比,得出目前最有发展前景的替代衬底是GaSb衬底,是未来发展的方向。
- 李震王亚妮王丛高达周朋刘铭
- 关键词：MBE衬底CDZNTEHGCDTECDTE
