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巨楷如

作品数:2 被引量:5H指数:2
供职机构:西安交通大学电子与信息工程学院陕西省信息光子技术重点实验室更多>>
发文基金:河南省杰出人才创新基金国家教育部博士点基金更多>>
相关领域:电子电信理学更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇射线衍射
  • 2篇生长温度
  • 2篇激光分子束外...
  • 2篇光谱
  • 2篇光致
  • 2篇光致发光
  • 2篇光致发光谱
  • 2篇发光
  • 2篇分子束
  • 2篇分子束外延
  • 2篇X射线衍射
  • 2篇ZNO薄膜
  • 2篇L-MBE

机构

  • 2篇西安交通大学
  • 2篇中国科学院

作者

  • 2篇张景文
  • 2篇徐庆安
  • 2篇贺永宁
  • 2篇杨晓东
  • 2篇侯洵
  • 2篇巨楷如

传媒

  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇半导体光电

年份

  • 2篇2006
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
生长温度对L-MBE法制备的ZnO薄膜性能的影响被引量:3
2006年
在蓝宝石C面上利用激光分子束外延(L-MBE)的方法,分别在250℃、300℃、350℃、400℃和450℃生长了高度C轴取向的ZnO薄膜。并进行了X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)谱的分析。测试结果表明,较低温度时,随着生长温度的升高,薄膜的结晶及发光性能得到提高;但是当温度进一步升高,却有所变差。说明利用L-MBE系统制备ZnO薄膜存在一合适的温度范围,并对此机理进行了深入分析。
徐庆安张景文杨晓东巨楷如贺永宁侯洵
关键词:ZNO薄膜生长温度激光分子束外延X射线衍射光致发光谱
生长温度对L-MBE制备的ZnO薄膜性能的影响被引量:2
2006年
在蓝宝石C面上利用激光分子束外延(L-MBE)的方法,分别在250、300、350、400和450℃下生长了高度C轴取向的ZnO薄膜,并对样品进行了X射线衍射、光致发光谱及反射式高能电子衍射的分析。测试结果表明,较低温度时,随着生长温度的升高,薄膜的结晶及发光性能得到提高;但是当温度进一步升高,却有所变差。这说明利用L-MBE系统制备ZnO薄膜存在一合适的温度范围,并对此机理进行了深入分析。
徐庆安张景文杨晓东巨楷如贺永宁侯洵
关键词:激光分子束外延X射线衍射光致发光谱
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