您的位置: 专家智库 > >

杜雪峰

作品数:1 被引量:3H指数:1
供职机构:中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇SI3N4

机构

  • 1篇中国科学院
  • 1篇上海大学

作者

  • 1篇沈悦
  • 1篇许钫钫
  • 1篇曾毅
  • 1篇杨涛
  • 1篇祝迎春
  • 1篇杜雪峰

传媒

  • 1篇无机材料学报

年份

  • 1篇2009
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
线型和带型α-Si3N4准一维结构的形成机理和表征被引量:3
2009年
采用高温氮化合成的热化学方法制备了单晶的线型和带型α-Si3N4准一维结构.其中线型α-Si3N4准一维结构沉积在温度较低的反应区域(1200℃),而带型α-Si3N4准一维结构则沉积在高温原料源附近位置(1450℃).经XRD、SEM、TEM、HRTEM分析表明,制备的线型和带型α-Si3N4准一维结构均为单晶;线型α-Si3N4直径约为100~300nm,长为几十微米;而带型α-Si3N4厚约30nm,宽度在300nm^2μm之间,长度为几微米到几十微米.从晶体生长热力学及动力学方面讨论了线型和带型α-Si3N4准一维结构的生长过程和分区沉积的原因.结果表明,较高的温度和过饱和度有利于形成带型准一维结构.
杜雪峰祝迎春许钫钫杨涛曾毅沈悦
共1页<1>
聚类工具0